Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (242)
IPW65R095C7XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 24A TO247 Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 24A(Tc) Сопротивление открытого канала: 95 мОм @ 11.8А, 10В Мощность макс.: 128Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 590 µA Заряд затвора: 45нКл @ 10В Входная емкость: 2140пФ @ 400В Тип монтажа: Through Hole
IPW65R110CFDFKSA1 Полевой транзистор N-канальный 650В 31.2A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 31.2A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 277.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 118нКл Входная емкость: 3240пФ Тип монтажа: Through Hole
IPW65R125C7XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 18А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
IPW65R150CFDAFKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 22.4A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 22.4А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
IPW65R150CFDFKSA1 Полевой транзистор N-канальный 650В 22.4A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 2.4A Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Тип монтажа: Through Hole
IPW65R190C7XKSA1 Транзистор полевой N-канальный 650В 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 13A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Through Hole
IPW65R190CFDFKSA1 Полевой транзистор N-канальный 650В 17.5A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 17.5A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 151Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 68нКл Входная емкость: 1850пФ Тип монтажа: Through Hole
IPW65R190E6FKSA1 Транзистор полевой N-канальный 650В 20,2A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 20.2A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 151Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 73нКл Входная емкость: 1620пФ Тип монтажа: Through Hole
IPW65R280E6FKSA1 Полевой транзистор N-канальный 700В 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 13.8A Сопротивление открытого канала: 280 мОм Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 950пФ Тип монтажа: Through Hole
IPZ65R045C7XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 46A TO247-4 Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 46A(Tc) Сопротивление открытого канала: 45 мОм @ 24.9А, 10В Мощность макс.: 227Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 1.25mA Заряд затвора: 93нКл @ 10В Входная емкость: 4340пФ @ 400В Тип монтажа: Through Hole
IPZ65R065C7XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 33A 4-Pin(4+Tab) TO-247 туба Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 33А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
IRFB9N65APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 8.5А 167Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 8.5A Сопротивление открытого канала: 930 мОм Мощность макс.: 167Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 1417пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFIB5N65APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 5.1A Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 5.1A Сопротивление открытого канала: 930 мОм Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 1417пФ Тип монтажа: Through Hole
IXFH22N65X2 Полевой транзистор N-канальный 650В 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Производитель: IXYS Corporation Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 22A Сопротивление открытого канала: 160 мОм Мощность макс.: 390Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±30В Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 2310пФ Тип монтажа: Through Hole
IXFH46N65X2 Полевой транзистор N-канальный 650В 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Производитель: IXYS Corporation Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 46A Сопротивление открытого канала: 76 мОм Мощность макс.: 660Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±30В Заряд затвора: 75нКл Входная емкость: 4810пФ Тип монтажа: Through Hole
IXTH48N65X2 Транзистор полевой N-канальный 650В 48А 660Вт Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 48A Сопротивление открытого канала: 68 мОм Мощность макс.: 660Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±30В Заряд затвора: 77нКл Входная емкость: 4420пФ Тип монтажа: Through Hole
IXTR102N65X2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 54A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 Производитель: IXYS Corporation Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 54А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
JMH65R040ASFD Транзистор полевой MOSFET силовой 650В 71A 35мОм Производитель: Jiangsu JieJie Microelectronics Co., Ltd. Корпус: TO-247-3 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 71А Сопротивление открытого канала: 35мОм
JMH65R190AC-U Транзистор полевой MOSFET силовой 650В 20A 170мОм Производитель: Jiangsu JieJie Microelectronics Co., Ltd. Корпус: TO-220-3 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 20А Сопротивление открытого канала: 170мОм
JMH65R190ACFP-U Транзистор полевой MOSFET силовой 650В 20A 170мОм Производитель: Jiangsu JieJie Microelectronics Co., Ltd. Корпус: TO-220FP Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 20А Сопротивление открытого канала: 170мОм
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"