Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1890)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (281)

AUIRF9Z34N Транзистор, Auto Q101 Pкан -55В -19А [TO-220AB] Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 19А Тип транзистора: P-канальный Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

AUIRFI4905 Полевой транзистор, P-канальный, 55 В, 74 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 74A Сопротивление открытого канала: 20 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 180нКл Входная емкость: 3400пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

AUIRFIZ34N Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 21 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F/5 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 37Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 700пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

AUIRFR024N Транзистор полевой N-канальный 55В 17A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 75 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 370пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

AUIRFR1010Z Транзистор полевой N-канальный 55В 42A DPAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 42A(Tc) Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм @ 42А, 10В Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 100 µA Заряд затвора: 95нКл @ 10В Входная емкость: 2840пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRFR2405 Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 30 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 2430пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

AUIRFR2905Z Транзистор полевой N-канальный 55В 42A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 14.5 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 44нКл Входная емкость: 1380пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

293 шт

Цена от:

от 125,87₽

AUIRFR4105 Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 20 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 68Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 700пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRFR4105Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 30A DPAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D-Pak Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 20A(Tc) Сопротивление открытого канала: 24.5 мОм @ 18А, 10В Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 27нКл @ 10В Входная емкость: 740пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

AUIRFR5305 Транзистор полевой P-канальный 55В 31А 110Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 31A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

517 шт

Цена от:

от 184,29₽

AUIRFR5305TR Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 31А 110Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 31А Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: P-канальный Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

517 шт

Цена от:

от 134,07₽

AUIRFR9024NTRL Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 11A DPAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 11A(Tc) Сопротивление открытого канала: 175 мОм @ 6.6А, 10В Мощность макс.: 38Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 19нКл @ 10В Входная емкость: 350пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRFZ44N Транзистор, Auto Q101 Nкан 55В 49А [TO-220AB] Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 49A(Tc) Сопротивление открытого канала: 17.5 мОм @ 25А, 10В Мощность макс.: 94Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 63нКл @ 10В Входная емкость: 1470пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

AUIRFZ44Z Транзистор, Auto Q101 Nкан 55В 51А [TO-220AB] Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 51A(Tc) Сопротивление открытого канала: 13.9 мОм @ 31А, 10В Мощность макс.: 80Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 43нКл @ 10В Входная емкость: 1420пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

AUIRFZ44ZS Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 51 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 51A Сопротивление открытого канала: 13.9 мОм Мощность макс.: 80Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 43нКл Входная емкость: 1420пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRFZ48N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 69A TO-220AB Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 69A(Tc) Сопротивление открытого канала: 14 мОм @ 40А, 10В Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 100 µA Заряд затвора: 63нКл @ 10В Входная емкость: 1900пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Новинка

AUIRFZ48Z Транзистор полевой N-канальный 55В 61A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 61A Сопротивление открытого канала: 11 мОм Мощность макс.: 91Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 64нКл Входная емкость: 1720пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

AUIRL3705ZS Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 75 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 130Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 2880пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRLR014N Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 10 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 140 мОм Мощность макс.: 28Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 7.9нКл Входная емкость: 265пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRLR2905 Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 42 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 27 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 1700пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"