Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (6828)
Акция IRF7811AVTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 10.8A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 10.8A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 1801пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
1 540 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 138,77
IRF7842TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 18А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 5 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.25В Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 4500пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
12 459 шт

Под заказ:
1 760 шт
Цена от:
от 77,04
IRF7855TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 12A 8-SOIC Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 12A(Ta) Сопротивление открытого канала: 9.4 мОм @ 12А, 10В Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4.9В @ 100 µA Заряд затвора: 39нКл @ 10В Входная емкость: 1560пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
2 394 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 91,82
IRF8736TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 18A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 4.8 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 2315пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
8 835 шт

Под заказ:
4 000 шт
Цена от:
от 23,74
IRF8788TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 24А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 24A Сопротивление открытого канала: 2.8 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 5720пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
5 343 шт

Под заказ:
820 шт
Цена от:
от 55,13
IRF9310TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 20A 8-SOIC, 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 4.6 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 165нКл Входная емкость: 5250пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
26 830 шт

Под заказ:
1 490 шт
Аналоги:
20 980 шт
Цена от:
от 80,52
IRF9317TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 16A SO-8 Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 6.6 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 92нКл Входная емкость: 2820пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
7 547 шт

Под заказ:
230 шт
Цена от:
от 62,38
IRF9321TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 15A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 7.2 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 98нКл Входная емкость: 2590пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
9 454 шт

Под заказ:
7 655 шт
Цена от:
от 31,58
Акция IRF9328TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 12A 8-Pin SOIC N лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 11.9 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 52нКл Входная емкость: 1680пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
1 434 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 119,35
Акция IRF9335TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 5.4A 8-Pin SOIC N лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 5.4A(Ta) Сопротивление открытого канала: 59 мОм @ 5.4А, 10В Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В @ 10 µA Заряд затвора: 14нКл @ 10В Входная емкость: 386пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
1 385 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 36,26
IRF9Z34NPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 19А 68Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 68Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 620пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
16 324 шт

Под заказ:
4 280 шт
Цена от:
от 23,75
Акция IRFB3256PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 75A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 3.4 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 195нКл Входная емкость: 6600пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
95 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 118,26
IRFB3607PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 80A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 84нКл Входная емкость: 3070пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
9 209 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 36,50
IRFB4110PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 120А 370Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм Мощность макс.: 370Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 210нКл Входная емкость: 9620пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
5 412 шт

Под заказ:
1 100 шт
Цена от:
от 82,72
IRFB4115PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 104А 380Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 104A Сопротивление открытого канала: 11 мОм Мощность макс.: 380Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 5270пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
14 877 шт

Под заказ:
200 шт
Аналоги:
4 000 шт
Цена от:
от 90,57
IRFB4227PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 65А 330Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 65A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 330Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 98нКл Входная емкость: 4600пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
12 506 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 93,36
IRFB4332PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 390Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO220AB Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 33 мОм Мощность макс.: 390Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 150нКл Входная емкость: 5860пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
47 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 270,14
IRFB5615PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 35А 144Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 39 мОм Мощность макс.: 144Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1750пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
7 315 шт

Под заказ:
8 500 шт
Цена от:
от 58,75
IRFB7730PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 195А 375Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 2.6 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В Заряд затвора: 407нКл Входная емкость: 13660пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
2 459 шт

Под заказ:
20 000 шт
Цена от:
от 101,64
Акция IRFB7787PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 83A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 76A Сопротивление открытого канала: 8.4 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В Заряд затвора: 109нКл Входная емкость: 4020пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
114 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 45,23
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7128 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"