Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (6845)
Акция IRF9335TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 5.4A 8-Pin SOIC N лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 5.4A(Ta) Сопротивление открытого канала: 59 мОм @ 5.4А, 10В Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В @ 10 µA Заряд затвора: 14нКл @ 10В Входная емкость: 386пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
1 384 шт

Под заказ:
300 шт
Цена от:
от 27,78
Акция IRF9Z34NPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 19А 68Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 68Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 620пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
16 114 шт

Под заказ:
6 950 шт
Цена от:
от 23,80
Акция IRFB3256PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 75A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 3.4 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 195нКл Входная емкость: 6600пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
94 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 84,42
Акция IRFB3607PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 80A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 84нКл Входная емкость: 3070пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
8 687 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 32,30
IRFB4110PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 120А 370Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм Мощность макс.: 370Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 210нКл Входная емкость: 9620пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
5 796 шт

Под заказ:
1 060 шт
Цена от:
от 69,32
IRFB4227PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 65А 330Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 65A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 330Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 98нКл Входная емкость: 4600пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
10 447 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 79,68
Акция IRFB5615PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 35А 144Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 39 мОм Мощность макс.: 144Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1750пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
6 950 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 57,45
IRFB7730PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 195А 375Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 2.6 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В Заряд затвора: 407нКл Входная емкость: 13660пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
4 739 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 117,18
Акция IRFB7787PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 83A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 76A Сопротивление открытого канала: 8.4 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В Заряд затвора: 109нКл Входная емкость: 4020пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
113 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 35,67
IRFH5300TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 40A 8-Pin PQFN EP лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: PQFN 5x6 mm Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 1.4 мОм Мощность макс.: 3.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 7200пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
6 069 шт

Под заказ:
854 шт
Цена от:
от 54,68
IRFHS8242TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 9.9A 6-Pin PQFN EP лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: PQFN6-(2x2) Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 9.9A Сопротивление открытого канала: 13 мОм Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 10.4нКл Входная емкость: 653пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
619 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 37,29
Акция IRFI4321PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 34A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 34A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 46Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 4440пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
175 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 181,51
Акция IRFIZ44NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 31А 45Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 31A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
86 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 48,64
IRFL024NTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 2.8А 2.1Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 2.8A Сопротивление открытого канала: 75 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 18.3нКл Входная емкость: 400пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
10 514 шт

Под заказ:
1 025 шт
Цена от:
от 29,81
IRFL4310TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.6А 2.1Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 1.6A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 330пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
4 982 шт

Под заказ:
1 000 шт
Цена от:
от 26,54
IRFP150NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 39А 140Вт, 0.036 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 36 мОм Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 1900пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
3 021 шт

Под заказ:
100 шт
Цена от:
от 59,77
Акция IRFP250NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 30А 190Вт, 0.085 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 75 мОм Мощность макс.: 214Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 123нКл Входная емкость: 2159пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
7 122 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 66,87
IRFP260NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 50А 300Вт, 0.04 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 234нКл Входная емкость: 4057пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
5 321 шт

Под заказ:
2 290 шт
Цена от:
от 91,87
IRFP2907PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 177А 330Вт, 0.0045 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 209A Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм Мощность макс.: 470Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 620нКл Входная емкость: 13000пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
1 014 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 265,91
Акция IRFP3306PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120А 220Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 4.2 мОм Мощность макс.: 220Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 4520пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
1 348 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 268,31
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68495 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"