Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3522)
Chassis Mount (4)
Through Hole (1889)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (1580)

SI2323DDS-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 5.3 А Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 5.3A Сопротивление открытого канала: 39 мОм Мощность макс.: 1.7Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 36нКл Входная емкость: 1160пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2323DS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.7А 1.25Вт Производитель: Vishay Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.7A Сопротивление открытого канала: 39 мОм Мощность макс.: 750мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 1020пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

5 463 шт

Цена от:

от 4,29₽

SI2324DS-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 100В 2.3A Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 2.3A Сопротивление открытого канала: 234 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Заряд затвора: 10.4нКл Входная емкость: 190пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2325DS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 530мА Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 530мА Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 750мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 510пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2325DS-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 150В 530мА Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 530мА Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 750мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 510пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2329DS-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 8В 6A Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 8В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 800mВ Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 1485пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2333DS-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 12В 4.1A SOT23-3 Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 4.1A Сопротивление открытого канала: 32 мОм Мощность макс.: 750мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 1100пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Новинка

SI2337DS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 80В 2.2A Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 2.2A(Tc) Сопротивление открытого канала: 270 мОм @ 1.2А, 10В Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 17нКл @ 10В Входная емкость: 500пФ @ 40В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2337DS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 80В 2.2A Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 2.2A Сопротивление открытого канала: 270 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 500пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2338DS-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 6 А Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 424пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2342DS-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 8 В, 6 А Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 8В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 17 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 800mВ Заряд затвора: 15.8нКл Входная емкость: 1070пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Новинка

SI2356DS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 4.3A Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 40V Ток стока макс.: 4.3A (Tc) Сопротивление открытого канала: 51 mOhm @ 3.2A, 10V Мощность макс.: 1.7W Тип транзистора: MOSFET N-Channel, Metal Oxide Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5V @ 250 µA Заряд затвора: 13nC @ 10V Входная емкость: 370pF @ 20V Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2366DS-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 30В 5.8A SOT-23 Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 5.8A(Tc) Сопротивление открытого канала: 36 мОм @ 4.5А, 10В Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В @ 250 µA Заряд затвора: 10нКл @ 10В Входная емкость: 335пФ @ 15В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2399DS-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 6 А Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 34 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 835пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3430DV-T1-GE3 MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOP Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 100V Ток стока макс.: 1.8A (Ta) Сопротивление открытого канала: 170 mOhm @ 2.4A, 10V Мощность макс.: 1.14W Тип транзистора: MOSFET N-Channel, Metal Oxide Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2V @ 250 µA (Min) Заряд затвора: 6.6nC @ 10V Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3433CDV-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 20В 6A Производитель: Vishay Корпус: 6-TSOP Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 38 мОм Мощность макс.: 3.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3437DV-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 150В 1.4A Производитель: Vishay Корпус: 6-TSOP Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 1.4A Сопротивление открытого канала: 750 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 510пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3440DV-T1-E3 Транзистор полевой N-канальный 150В 1.2A Производитель: Vishay Корпус: 6-TSOP Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 1.2A Сопротивление открытого канала: 375 мОм Мощность макс.: 1.14Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 8нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3440DV-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 150В 1.2A Производитель: Vishay Корпус: 6-TSOP Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 1.2A Сопротивление открытого канала: 375 мОм Мощность макс.: 1.14Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 8нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3442BDV-T1-E3 Транзистор полевой N-канальный 20В 3A Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 57 мОм Мощность макс.: 860мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.8В Заряд затвора: 5нКл Входная емкость: 295пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"