Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3522)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (1580)

SI1012X-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 20В 500мА Производитель: Vishay Корпус: SC-89 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 500мА Сопротивление открытого канала: 700 мОм Мощность макс.: 250мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 900mВ Заряд затвора: 0.75нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI1013R-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 20В 0.35A 3-Pin SC-75A лента на катушке Производитель: Vishay Корпус: SC-75 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 350мА Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 150мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 450mВ Заряд затвора: 1.5нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI1021R-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 60В 190мА Производитель: Vishay Корпус: SC-75 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 190мА Сопротивление открытого канала: 4 Ом Мощность макс.: 250мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 1.7нКл Входная емкость: 23пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI1022R-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 60В 330мА Производитель: Vishay Корпус: SC-75 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 330мА Сопротивление открытого канала: 1.25 Ом Мощность макс.: 250мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 0.6нКл Входная емкость: 30пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI1031R-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 140 мА Производитель: Vishay Корпус: SC-75 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 140мА Сопротивление открытого канала: 8 Ом Мощность макс.: 250мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В Заряд затвора: 1.5нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI1032R-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 20В 140мА Производитель: Vishay Корпус: SC-75 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 140мА Сопротивление открытого канала: 5 Ом Мощность макс.: 250мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В Заряд затвора: 0.75нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI1062X-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 20В Производитель: Vishay Корпус: SC-89 Напряжение исток-сток макс.: 20В Сопротивление открытого канала: 420 мОм Мощность макс.: 220мВт Тип транзистора: N-канальный Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 2.7нКл Входная емкость: 43пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI1302DL-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 600 мА Производитель: Vishay Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 600мА Сопротивление открытого канала: 480 мОм Мощность макс.: 280мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 1.4нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Новинка

SI1308EDL-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 1.4A Производитель: Vishay Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 1.4A Сопротивление открытого канала: 132 мОм Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 4.1нКл Входная емкость: 105пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI1317DL-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 1.4 А Производитель: Vishay Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.4A Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 800mВ Заряд затвора: 6.5нКл Входная емкость: 272пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI1403BDL-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 20В 1.4A Производитель: Vishay Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.4A Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 568мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.3В Заряд затвора: 4.5нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI1416EDH-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 3.9A 6-Pin SC-70 лента на катушке Производитель: Vishay Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.9A Сопротивление открытого канала: 58 мОм Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.4В Заряд затвора: 12нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI1441EDH-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 4 А Производитель: Vishay Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 41 мОм Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 33нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI1443EDH-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 4 А Производитель: Vishay Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 54 мОм Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 28нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI1480DH-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 2.6 А Производитель: Vishay Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 2.6A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 5нКл Входная емкость: 130пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2301-TP Транзистор полевой P-канальный 20В 2.8A 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Micro Commercial Components Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2.8A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 1.25Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 450mВ Заряд затвора: 14.5нКл Входная емкость: 880пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2301BDS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2.2А 0,9Вт Производитель: Vishay Корпус: SOT-23 (TO-236AB) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2.2A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 700мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 950mВ Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 375пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

2 478 шт

Цена от:

от 2,19₽

SI2302-TP Транзистор полевой N-канальный 20В 3A 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Micro Commercial Components Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 72 мОм Мощность макс.: 1.25Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 237пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2302CDS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 2.6А 0.71Вт Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-3L Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2.6A Сопротивление открытого канала: 57 мОм Мощность макс.: 710мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 850mВ Заряд затвора: 5.5нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2302CDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 2.6А 0.71Вт Производитель: Vishay Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2.6A Сопротивление открытого канала: 57 мОм Мощность макс.: 710мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 850mВ Заряд затвора: 5.5нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"