Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3522)
Chassis Mount (4)
Through Hole (1889)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (1580)

PSMN020-100YS,115 Транзистор полевой N-канальный 100В 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 43A Сопротивление открытого канала: 20.5 мОм Мощность макс.: 106Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 2210пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

PSMN1R1-30PL,127 Транзистор полевой N-канальный 30В 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB лента Производитель: NEXPERIA Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 1.3 мОм Мощность макс.: 338Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 243нКл Входная емкость: 14850пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

PSMN1R2-25YL,115 Транзистор полевой N-канальный 25В 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 1.2 мОм Мощность макс.: 121Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.15В Заряд затвора: 105нКл Входная емкость: 6380пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

PSMN1R8-30PL,127 Транзистор полевой N-канальный 30В Производитель: NEXPERIA Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 1.8 мОм Мощность макс.: 270Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.15В Заряд затвора: 170нКл Входная емкость: 10180пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

PSMN2R0-30PL,127 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 100 А Производитель: NEXPERIA Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 2.1 мОм Мощность макс.: 211Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.15В Заряд затвора: 117нКл Входная емкость: 6810пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

PSMN5R6-100BS,118 Полевой транзистор N-канальный 100В 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 5.6 мОм Мощность макс.: 306Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 141нКл Входная емкость: 8061пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

PSMN9R1-30YL,115 Полевой транзистор N-канальный 35В 57A 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 57A Сопротивление открытого канала: 9.1 мОм Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.15В Заряд затвора: 16.7нКл Входная емкость: 894пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

RFD12N06RLESM9A Транзистор полевой N-канальный 60В 18A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 63 мОм Мощность макс.: 49Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 485пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

RFD14N05L Транзистор полевой N-канальный 50В 14A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 670пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

RFD14N05LSM Транзистор полевой N-канальный 50В 14A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 670пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

RFD14N05LSM9A Транзистор полевой N-канальный 50В 14A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 670пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

RFD16N05LSM9A Транзистор полевой N-канальный 50В 16A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 47 мОм Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 80нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

RFD16N06LESM9A Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 16 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 47 мОм Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 62нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

RFD3055LE Транзистор полевой N-канальный 60В 11A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 107 мОм Мощность макс.: 38Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 11.3нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

RFD3055LESM9A Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 11 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 107 мОм Мощность макс.: 38Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 11.3нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

RFP12N10L Транзистор полевой N-канальный 100В 12A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Входная емкость: 900пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

RK7002AT116 Транзистор полевой N-канальный 60В 300мА Производитель: ROHM Корпус: SST3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 300мА Сопротивление открытого канала: 1 Ом Мощность макс.: 200мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 6нКл Входная емкость: 33пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SBSS84LT1G Полевой транзистор P-канальный 50В 0.13A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 130мА Сопротивление открытого канала: 10 Ом Мощность макс.: 225мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 2.2нКл Входная емкость: 36пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI1012CR-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 20В 630мА Производитель: Vishay Корпус: SC-75A Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 630мА Сопротивление открытого канала: 396 мОм Мощность макс.: 240мВт Тип транзистора: N-канальный Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 2нКл Входная емкость: 43пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI1012R-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 20В 0.5A 3-Pin SC-75A лента на катушке Производитель: Vishay Корпус: SC-75 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 500мА Сопротивление открытого канала: 700 мОм Мощность макс.: 150мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 900mВ Заряд затвора: 0.75нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"