Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3522)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (1580)

NTR1P02LT3G Транзистор полевой P-канальный 20В 1.3A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.3A Сопротивление открытого канала: 220 мОм Мощность макс.: 400мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.25В Заряд затвора: 5.5нКл Входная емкость: 225пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTR1P02T1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 400мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 2.5нКл Входная емкость: 165пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTR2101PT1G Транзистор полевой P-канальный 8В 3.7А 0.96Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 8В Ток стока макс.: 3.7А Сопротивление открытого канала: 52 мОм Мощность макс.: 960мВт Тип транзистора: P-канальный Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 1173пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTR3A30PZT1G Полевой транзистор P-канальный 20В 2.9A 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 38 мОм Мощность макс.: 480мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 17.6нКл Входная емкость: 1651пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTR4003NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 500мА, 0.83Вт, 1 Ом Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 500мА Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 690мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.4В Заряд затвора: 1.15нКл Входная емкость: 21пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTR4003NT3G Транзистор полевой N-канальный 30В 500мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 500мА Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 690мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.4В Заряд затвора: 1.15нКл Входная емкость: 21пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTR4101PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1.8А 0.21Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.8A Сопротивление открытого канала: 85 мОм Мощность макс.: 420мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В Заряд затвора: 8.5нКл Входная емкость: 675пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

NTR4170NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 3.2А 1,25Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.2А Сопротивление открытого канала: 55 мОм Мощность макс.: 780мВт Тип транзистора: N-канальный Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.4В Заряд затвора: 4.76нКл Входная емкость: 432пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTR4171PT1G Транзистор полевой P-канальный 30В 2.2A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2.2A Сопротивление открытого канала: 75 мОм Мощность макс.: 480мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.4В Заряд затвора: 15.6нКл Входная емкость: 720пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTR4502PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 1.13А 1.25Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 1.13A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 400мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 200пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

NTR4503NT1G Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 0.73 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 1.5A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 420мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 7нКл Входная емкость: 250пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Новинка

NTR5198NLT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1.7A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 1.7A Сопротивление открытого канала: 155 мОм Мощность макс.: 900мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 2.8нКл Входная емкость: 182пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

NTRV4101PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1.8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.8A Сопротивление открытого канала: 85 мОм Мощность макс.: 420мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В Заряд затвора: 8.5нКл Входная емкость: 675пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTS2101PT1G Полевой транзистор, P-канальный, 8 В, 1.4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 8В Ток стока макс.: 1.4A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 290мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ Заряд затвора: 6.4нКл Входная емкость: 640пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTS4101PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1.37A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-70-3 (SOT323) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.37A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 329мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 9нКл Входная емкость: 840пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTS4173PT1G Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 1.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 1.2A Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 290мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 10.1нКл Входная емкость: 430пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTS4409NT1G Транзистор полевой N-канальный 25В 700мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 700мА Сопротивление открытого канала: 350 мОм Мощность макс.: 280мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 1.5нКл Входная емкость: 60пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTTFS4821NTAG Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 7.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: WDFN8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 7.5A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 660мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 24нКл Входная емкость: 1755пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTTFS4824NTAG Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 8.3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: WDFN8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 8.3A Сопротивление открытого канала: 5 мОм Мощность макс.: 660мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 2363пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTTFS5116PLTAG Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 5.7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: WDFN8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 5.7A Сопротивление открытого канала: 52 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 1258пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"