Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3522)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (1580)

Акция

NTJS4151PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.3А 0.1Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-88/SC70-6/SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.3A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 850пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTK3043NT1G Транзистор полевой N-канальный 20В 210мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-723 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 210мА Сопротивление открытого канала: 3.4 Ом Мощность макс.: 310мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.3В Входная емкость: 11пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTK3134NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 750мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-723 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 750мА Сопротивление открытого канала: 350 мОм Мощность макс.: 310мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В Входная емкость: 120пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTK3139PT1G Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 780 мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-723 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 660мА Сопротивление открытого канала: 480 мОм Мощность макс.: 310мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В Входная емкость: 170пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTMFS4823NT1G Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 6.9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6.9A Сопротивление открытого канала: 10.6 мОм Мощность макс.: 860мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 795пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTMFS4833NT1G Транзистор полевой N-канальный 30В 16A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 2 мОм Мощность макс.: 910мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 88нКл Входная емкость: 5600пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTMFS4834NT1G Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 13 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 3 мОм Мощность макс.: 900мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 4500пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Новинка

NTMFS4835NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 12A Производитель: ON Semiconductor Корпус: 5-DFN, 8-SO Flat Lead (5x6) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 3.5 мОм Мощность макс.: 890мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 52нКл Входная емкость: 3100пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTMFS4852NT1G Транзистор полевой N-канальный 30В 16A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 2.1 мОм Мощность макс.: 900мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 71.3нКл Входная емкость: 4970пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTMFS4927NT1G Транзистор полевой N-канальный 30В 7.9A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 7.9A Сопротивление открытого канала: 7.3 мОм Мощность макс.: 920мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 913пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTMFS5C604NLT1G Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 289 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 38A Сопротивление открытого канала: 1.2 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 8900пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTMFS5C646NLT1G Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 32 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 4.7 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 33.7нКл Входная емкость: 2164пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTMS10P02R2G Транзистор полевой P-канальный 20В 8.8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 8.8A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 3640пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTMS4177PR2G Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 6.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6.6A Сопротивление открытого канала: 12 мОм Мощность макс.: 840мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 55нКл Входная емкость: 3100пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTMS4801NR2G Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 7.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 7.5A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 2201пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTMS4816NR2G Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 6.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6.8A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 780мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 18.3нКл Входная емкость: 1060пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTMS5P02R2G Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 3.95 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.95A Сопротивление открытого канала: 33 мОм Мощность макс.: 790мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.25В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1900пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTNUS3171PZT5G Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 200 мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-1123 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 150мА Сопротивление открытого канала: 3.5 Ом Мощность макс.: 125мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Входная емкость: 13пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTR0202PLT1G Транзистор полевой P-канальный 20В 400мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 400мА Сопротивление открытого канала: 800 мОм Мощность макс.: 225мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 2.18нКл Входная емкость: 70пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTR1P02LT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1.3А 0.4Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.3A Сопротивление открытого канала: 220 мОм Мощность макс.: 400мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.25В Заряд затвора: 5.5нКл Входная емкость: 225пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"