Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1890)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (232)

FQB34N20LTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 31A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DBІPAK Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 31A Сопротивление открытого канала: 75 мОм Мощность макс.: 3.13Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 72нКл Входная емкость: 3900пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD10N20LTM Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 7.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 7.6A Сопротивление открытого канала: 360 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 830пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD12N20LTM Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 280 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 21нКл Входная емкость: 1080пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD13N10LTM Транзистор полевой N-канальный 100В 10A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 520пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD19N10LTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 15.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-252-3 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 15.6A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 870пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD5N20LTM Транзистор полевой N-канальный 200В 3.8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 3.8A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 6.2нКл Входная емкость: 325пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD7N10LTM Транзистор полевой N-канальный 100В 5.8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 5.8A Сопротивление открытого канала: 350 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 6нКл Входная емкость: 290пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD7N20LTM Транзистор полевой N-канальный 200В 5.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 5.5A Сопротивление открытого канала: 750 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 92нКл Входная емкость: 500пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQPF33N10L Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 18 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 52 мОм Мощность макс.: 41Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1630пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQT4N20LTF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 0.85А 1.35 Ом Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 850мА Сопротивление открытого канала: 1.35 Ом Мощность макс.: 2.2Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 5.2нКл Входная емкость: 310пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQT7N10LTF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.7A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223-3 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 1.7A Сопротивление открытого канала: 350 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 6нКл Входная емкость: 290пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF7455PBF Транзистор полевой N-канальный 30В 14А 2.5Вт, 0.008 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 3480пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

372 шт

Цена от:

от 19,22₽

Акция

IRF7456PBF Транзистор полевой N-канальный 20В 16A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 6.5 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 62нКл Входная емкость: 3640пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF7456TRPBF Транзистор полевой N-канальный 20В 16A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 6.5 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 62нКл Входная емкость: 3640пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF7468PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 9.4А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 9.4A Сопротивление открытого канала: 15.5 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 2460пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

401 шт

Цена от:

от 107,15₽

IRF7470PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 10А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 13 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 44нКл Входная емкость: 3430пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

10 490 шт

Цена от:

от 63,02₽

IRFR3708TRLPBF Транзистор полевой N-канальный 30В 61A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 61A Сопротивление открытого канала: 12.5 мОм Мощность макс.: 87Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 24нКл Входная емкость: 2417пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRL2505SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 104A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 104A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 5000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

571 шт

Цена от:

от 125,43₽

Акция

IRL2910SPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 55А 200Вт, 0.026 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 55A Сопротивление открытого канала: 26 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 140нКл Входная емкость: 3700пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

315 шт

Цена от:

от 169,21₽

Акция

IRL510PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 5.6А 43Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 5.6A Сопротивление открытого канала: 540 мОм Мощность макс.: 43Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 6.1нКл Входная емкость: 250пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"