Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount(3523)
Chassis Mount(4)
Through Hole(1888)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (260)

FDP054N10 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 5.5 мОм Мощность макс.: 263Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 203нКл Входная емкость: 13280пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP090N10 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 75 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 116нКл Входная емкость: 8225пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP100N10 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 75 А, 0.01 Ом Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 100нКл Входная емкость: 7300пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP120N10 Транзистор полевой N-канальный 100В 74A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 74A Сопротивление открытого канала: 12 мОм Мощность макс.: 170Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 86нКл Входная емкость: 5605пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP150N10 Транзистор полевой N-канальный 100В 57A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 57A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 69нКл Входная емкость: 4760пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

FDPF3860T Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 20А 33Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 38.2 мОм Мощность макс.: 33.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1800пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDS2670 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 130 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 43нКл Входная емкость: 1228пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FKP300A Транзистор полевой N-канальный 300В 30А 85Вт Производитель: Sanken Semiconductors Корпус: TO-3PF Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 85Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Входная емкость: 3800пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IPA60R190P6XKSA1 Полевой транзистор N-канальный 600В 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 20.2A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 34Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 37нКл Входная емкость: 1750пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IPA60R600P6XKSA1 Транзистор полевой N-канальный 600В 4.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 4.9A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 28Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 557пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IPD65R420CFDATMA1 Полевой транзистор N-канальный 650В 8.7A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 8.7A Сопротивление открытого канала: 420 мОм Мощность макс.: 83.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 870пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IPD65R660CFDATMA1 Полевой транзистор N-канальный 650В 6A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 660 мОм Мощность макс.: 62.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 615пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IPP65R190CFDXKSA1 Полевой транзистор N-канальный 650В 17.5A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 17.5A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 151Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 68нКл Входная емкость: 1850пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IPP65R660CFD Полевой транзистор N-канальный 650В 6A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 660 мОм Мощность макс.: 62.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 615пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IPW65R110CFDFKSA1 Полевой транзистор N-канальный 650В 31.2A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 31.2A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 277.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 118нКл Входная емкость: 3240пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IPW65R190CFDFKSA1 Полевой транзистор N-канальный 650В 17.5A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 17.5A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 151Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 68нКл Входная емкость: 1850пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRF730APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 5.5A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 5.5A Сопротивление открытого канала: 1 Ом Мощность макс.: 74Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 600пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF730ASPBF Транзистор полевой N-канальный 400В 5.5A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 5.5A Сопротивление открытого канала: 1 Ом Мощность макс.: 74Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 600пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF820ALPBF Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 2.5 А Производитель: Vishay Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF820APBF Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 2.5 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"