Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (202)
Акция IRF7492PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 3.7А 2.5Вт, 0.079 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 3.7A Сопротивление открытого канала: 79 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 59нКл Входная емкость: 1820пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
5 454 шт
Цена от:
от 51,73
IRL3713PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 260А 330Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 260A Сопротивление открытого канала: 3 мОм Мощность макс.: 330Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 5890пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRL3713SPBF Транзистор полевой N-канальный 30В 260A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 260A Сопротивление открытого канала: 3 мОм Мощность макс.: 330Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 5890пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRL3713STRLPBF Транзистор полевой N-канальный 30В 260A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 260A Сопротивление открытого канала: 3 мОм Мощность макс.: 330Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 5890пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRLH5030TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 13A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PQFN (5x6) Single Die Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 3.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 94нКл Входная емкость: 5185пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRLR2908PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 30А 120Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 120Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 33нКл Входная емкость: 1890пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
917 шт
Цена от:
от 34,34
IRLR2908TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 120Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 33нКл Входная емкость: 1890пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
917 шт
Цена от:
от 31,56
Акция IRLR3110ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 42А 140Вт, 0,014 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 3980пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
2 380 шт
Цена от:
от 48,62
IRLR3110ZTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 42A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 3980пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
2 380 шт
Цена от:
от 57,63
Акция IRLR3114ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 42А 140Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 4.9 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 3810пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
1 302 шт
Цена от:
от 64,07
Акция IRLS3034-7PPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 240A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK-7 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 240A Сопротивление открытого канала: 1.4 мОм Мощность макс.: 380Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 180нКл Входная емкость: 10990пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
5 317 шт
Цена от:
от 187,96
Акция IRLS3034PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 343А 375Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 1.7 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 162нКл Входная емкость: 10315пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
349 шт
Цена от:
от 372,40
Акция IRLS4030-7PPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 190А 370Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK-7 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 190A Сопротивление открытого канала: 3.9 мОм Мощность макс.: 370Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 140нКл Входная емкость: 11490пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
893 шт
Цена от:
от 317,43
IRLSL3036PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 195A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-262 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 2.4 мОм Мощность макс.: 380Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 140нКл Входная емкость: 11210пФ Тип монтажа: Through Hole
NDS352AP Транзистор полевой P-канальный 30В 900мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 900мА Сопротивление открытого канала: 300 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 3нКл Входная емкость: 135пФ Тип монтажа: Surface Mount
NDS356AP Транзистор полевой P-канальный 30В 1.1A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 1.1A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 4.4нКл Входная емкость: 280пФ Тип монтажа: Surface Mount
NDS7002A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 0.28А 2 Ом, 0.3Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 280мА Сопротивление открытого канала: 2 Ом Мощность макс.: 300мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTD4804NT4G Транзистор полевой N-канальный 30В 19.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 14.5A Сопротивление открытого канала: 4 мОм Мощность макс.: 1.43Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 4490пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTD4809NT4G Транзистор полевой N-канальный 30В 9.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 9.6A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 1.4Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 1456пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTD4858NT4G Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 11.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 11.2A Сопротивление открытого канала: 6.2 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 19.2нКл Входная емкость: 1563пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"