Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Chassis Mount(4)
Through Hole(1889)
Surface Mount(3522)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (226)

FCP104N60F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В TO-220 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 37A(Tc) Сопротивление открытого канала: 104 мОм @ 18.5А, 10В Мощность макс.: 357Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 145нКл @ 10В Входная емкость: 6130пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDA032N08 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A TO-3P Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 120A(Tc) Сопротивление открытого канала: 3.2 мОм @ 75А, 10В Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В @ 250 µA Заряд затвора: 220нКл @ 10В Входная емкость: 15160пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDA24N50F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 24A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P(N) Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 24A(Tc) Сопротивление открытого канала: 200 мОм @ 12А, 10В Мощность макс.: 270Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 85нКл @ 10В Входная емкость: 4310пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDB075N15A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 130A D2PAK Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 130A(Tc) Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм @ 100А, 10В Мощность макс.: 333Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 100нКл @ 10В Входная емкость: 7350пФ @ 75В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDBL0630N150 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 169A H-PSOF8 Производитель: ON Semiconductor Корпус: 8-PSOF Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 169A(Tc) Сопротивление открытого канала: 6.3 мОм @ 80А, 10В Мощность макс.: 500Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 90нКл @ 10В Входная емкость: 5805пФ @ 75В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD6N50TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 6A DPAK Производитель: ON Semiconductor Корпус: D-Pak Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 6A(Tc) Сопротивление открытого канала: 900 мОм @ 3А, 10В Мощность макс.: 89Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 16.6нКл @ 10В Входная емкость: 9400пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS86200DC Полевой транзистор N-канальный 150В 9.3A POWER 56 Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 9.3A(Ta),28A(Tc) Сопротивление открытого канала: 17 мОм @ 9.3А, 10В Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 42нКл @ 10В Входная емкость: 2955пФ @ 75В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS86550 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 8MLP Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 32A(Ta),155A(Tc) Сопротивление открытого канала: 1.65 мОм @ 32А, 10В Мощность макс.: 2.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В @ 250 µA Заряд затвора: 154нКл @ 10В Входная емкость: 11530пФ @ 30В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDP18N20F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18A TO-220 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 18A(Tc) Сопротивление открытого канала: 145 мОм @ 9А, 10В Мощность макс.: 100Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 26нКл @ 10В Входная емкость: 1180пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP24N40 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 24A TO-220 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 24A(Tc) Сопротивление открытого канала: 175 мОм @ 12А, 10В Мощность макс.: 227Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 60нКл @ 10В Входная емкость: 3020пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP2532 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 79A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 8A(Ta),79A(Tc) Сопротивление открытого канала: 16 мОм @ 33А, 10В Мощность макс.: 310Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 107нКл @ 10В Входная емкость: 5870пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP2710 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 50A TO-220 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 50A(Tc) Сопротивление открытого канала: 42.5 мОм @ 25А, 10В Мощность макс.: 260Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 101нКл @ 10В Входная емкость: 7280пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP3632 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80A TO-220AB Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 12A(Ta),80A(Tc) Сопротивление открытого канала: 9 мОм @ 80А, 10В Мощность макс.: 310Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 110нКл @ 10В Входная емкость: 6000пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP80N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 80A TO-220 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 80A(Tc) Сопротивление открытого канала: 10 мОм @ 40А, 10В Мощность макс.: 176Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 74нКл @ 10В Входная емкость: 3190пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDPF8N50NZU Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 6.5A TO-220F Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 6.5A(Tc) Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом @ 4А, 10В Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 18нКл @ 10В Входная емкость: 735пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQD30N06TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 22.7A DPAK-3 Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 22.7A(Tc) Сопротивление открытого канала: 45 мОм @ 11.4А, 10В Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 25нКл @ 10В Входная емкость: 945пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQP13N50 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 12.5A TO-220 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 12.5A(Tc) Сопротивление открытого канала: 430 мОм @ 6.25А, 10В Мощность макс.: 170Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 60нКл @ 10В Входная емкость: 2300пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP20N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 20A TO-220 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 20A(Tc) Сопротивление открытого канала: 60 мОм @ 10А, 10В Мощность макс.: 53Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 15нКл @ 10В Входная емкость: 590пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF12P10 Транзистор полевой P-канальный 100В 8.2А 75Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 8.2A Сопротивление открытого канала: 290 мОм Мощность макс.: 75Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 27нКл Входная емкость: 800пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF15P12 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 120В 15A TO-220F Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 120В Ток стока макс.: 15A(Tc) Сопротивление открытого канала: 200 мОм @ 7.5А, 10В Мощность макс.: 41Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 38нКл @ 10В Входная емкость: 1100пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.71 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"