Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
STY60NM60
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 60А 560Вт
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: MAX247
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 60A
Сопротивление открытого канала: 55 мОм
Мощность макс.: 560Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 266нКл
Входная емкость: 7300пФ
Тип монтажа: Through Hole
TK10A60D
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 10А 45Вт (рекомендуемая замена: TK750A60F)
Производитель: Toshiba Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 10A
Мощность макс.: 45Вт
Тип транзистора: N-канал
TK12A60D
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 12А 45Вт
Производитель: Toshiba Semiconductor
Корпус: TO-220-3
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 12A
Мощность макс.: 45Вт
Тип транзистора: N-канал
TK13A60D
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 13А 50Вт
Производитель: Toshiba Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 13A
Мощность макс.: 50Вт
Тип транзистора: N-канал
TK20J60U
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20А 190Вт (рекомендуемая замена: TK16J60W, TK16N60W)
Производитель: Toshiba Semiconductor
Корпус: TO-3P
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 20A
Сопротивление открытого канала: 190 мОм
Мощность макс.: 190Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 27нКл
Входная емкость: 1470пФ
Тип монтажа: Through Hole
TK6A60D (STA4,Q,M)
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6А, 40Вт
Производитель: Toshiba Semiconductor
Корпус: TO-220SIS (SC-67)
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 6A
Сопротивление открытого канала: 1.25 Ом
Мощность макс.: 40Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 16нКл
Входная емкость: 800пФ
Тип монтажа: Through Hole
WMK36N60C4
Транзистор полевой MOSFET N-канальный напряжение сток-исток 600В, ток стока 36А
Производитель: Wayon
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 36А
Тип транзистора: N-канальный
WML16N60C2
Super Junction MOSFET 600V; 13 A; 0,27 Ohm
Производитель: Wayon
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 13А
Сопротивление открытого канала: 0.27Ом
WML26N60C4
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 18A 0.16Ом TO-220F
Производитель: Wayon
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 18А
Сопротивление открытого канала: 0.16Ом
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Through Hole
WML53N60C4
Транзистор полевой MOSFET N-канальный напряжение сток-исток 600В, ток стока 50А
Производитель: Wayon
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 50А
Тип транзистора: N-канальный
2SK1940
Транзистор полевой N-канальный 600В 12А 125Вт
Производитель: Fujitsu Microelectronics
Корпус: TO-3P
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 12A
Мощность макс.: 125Вт
Тип транзистора: N-канал
2SK2324
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 2 А, 25 Вт
Производитель: Matsushita Electronics
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 2A
Мощность макс.: 25 Вт
Тип транзистора: N-канал
2SK2645
Транзистор полевой N-канальный 600В 9А 50Вт
Производитель: FUJI Electric
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 9A
Мощность макс.: 50Вт
Тип транзистора: N-канал
2SK2843
Транзистор полевой N-канальный 600В 10А 45Вт
Производитель: Toshiba Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 10A
Мощность макс.: 45Вт
Тип транзистора: N-канал
2SK2865(TE16L1,NQ)
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 2 А
Производитель: Toshiba Semiconductor
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 2A
Сопротивление открытого канала: 5 Ом
Мощность макс.: 20Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 9нКл
Входная емкость: 380пФ
Тип монтажа: Surface Mount
2SK3115
Транзистор полевой N-канальный 600В 6А
Производитель: Nippon Electric Comp. Ltd.
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 6A
Тип транзистора: N-канал
2SK3115B
Транзистор полевой N-канальный 600В 6А
Производитель: RENESAS Electronics Corp.
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 6A
Тип транзистора: N-канал
2SK3245
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 8А 40Вт
Производитель: Sanyo Semiconductors
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 8A
Мощность макс.: 40Вт
Тип транзистора: N-канал
2SK3298
Полевой транзистор, N-канальный, 600В 7.5А 40Вт
Производитель: Nippon Electric Comp. Ltd.
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 7.5A
Мощность макс.: 40Вт
Тип транзистора: N-канал
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.