Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
FQL40N50
Транзистор полевой N-канальный 500В 40A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-264
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 40A
Сопротивление открытого канала: 110 мОм
Мощность макс.: 460Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 200нКл
Входная емкость: 7500пФ
Тип монтажа: Through Hole
FQN1N50CTA
Транзистор полевой N-канальный 500В 380мА
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO92-3
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 380мА
Сопротивление открытого канала: 6 Ом
Мощность макс.: 890мВт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 6.4нКл
Входная емкость: 195пФ
Тип монтажа: Through Hole
FQP13N50
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 12.5A TO-220
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 12.5A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 430 мОм @ 6.25А, 10В
Мощность макс.: 170Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA
Заряд затвора: 60нКл @ 10В
Входная емкость: 2300пФ @ 25В
Тип монтажа: Through Hole
FQP13N50C
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 12.5A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 13A
Сопротивление открытого канала: 480 мОм
Мощность макс.: 195Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 56нКл
Входная емкость: 2055пФ
Тип монтажа: Through Hole
FQP3P50
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 500В 2.7A TO-220
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 2.7А
Тип транзистора: P-канальный
Тип монтажа: Through Hole
FQPF10N50CF
Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 10 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 10A
Сопротивление открытого канала: 610 мОм
Мощность макс.: 48Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 56нКл
Входная емкость: 2096пФ
Тип монтажа: Through Hole
FQPF11N50CF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 11А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 11A
Сопротивление открытого канала: 550 мОм
Мощность макс.: 48Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 55нКл
Входная емкость: 2055пФ
Тип монтажа: Through Hole
FQPF13N50CF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 13А 48Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 13A
Сопротивление открытого канала: 540 мОм
Мощность макс.: 48Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 56нКл
Входная емкость: 2055пФ
Тип монтажа: Through Hole
FQPF5N50
Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 5 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 3A
Сопротивление открытого канала: 1.8 Ом
Мощность макс.: 39Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 17нКл
Входная емкость: 610пФ
Тип монтажа: Through Hole
FQPF9N50C
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 9A TO-220F
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 9A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 800 мОм @ 4.5А, 10В
Мощность макс.: 44Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA
Заряд затвора: 35нКл @ 10В
Входная емкость: 1030пФ @ 25В
Тип монтажа: Through Hole
FQPF9N50CF
Транзистор полевой N-канальный 500В 9A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 9A
Сопротивление открытого канала: 850 мОм
Мощность макс.: 44Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 35нКл
Входная емкость: 1030пФ
Тип монтажа: Through Hole
FQU3N50CTU
Транзистор полевой N-канальный 500В 2.5A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 2.5A
Сопротивление открытого канала: 2.5 Ом
Мощность макс.: 35Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 13нКл
Входная емкость: 365пФ
Тип монтажа: Through Hole
HKTD4N50
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 5A, 1.7мОм
Производитель: Hottech Co. Ltd
Корпус: TO-252
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 5А
Сопротивление открытого канала: 1.7мОм
Тип транзистора: N-канальный
IPA50R140CPXKSA1
Транзистор полевой N-канальный 550В 23A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 23A
Сопротивление открытого канала: 140 мОм
Мощность макс.: 34Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В
Заряд затвора: 64нКл
Входная емкость: 2540пФ
Тип монтажа: Through Hole
IPA50R190CEXKSA2
Полевой транзистор N-канальный 500В 24.8A туба
Производитель: Infineon Technologies
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 18.5A
Сопротивление открытого канала: 190 мОм
Мощность макс.: 32Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Super Junction
Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В
Заряд затвора: 47.2нКл
Входная емкость: 1137пФ
Тип монтажа: Through Hole
IPA50R380CEXKSA2
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 14.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба
Производитель: Infineon Technologies
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 14.1А
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Through Hole
IPA50R800CEXKSA2
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба
Производитель: Infineon Technologies
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 7.6А
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Through Hole
IPA50R950CEXKSA2
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба
Производитель: Infineon Technologies
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 6.6А
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Through Hole
IPD50R1K4CEAUMA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 4.8А
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Surface Mount
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России и Беларуси
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.