Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (242)
IPP65R045C7XKSA1 Транзистор полевой N-канальный 650В 46A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 46A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 227Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 93нКл Входная емкость: 4340пФ Тип монтажа: Through Hole
IPP65R065C7XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 33А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
IPP65R095C7XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 24А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
IPP65R125C7XKSA1 Транзистор полевой N-канальный 650В 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 18A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Through Hole
IPP65R150CFDXKSA1 Транзистор полевой N-канальный 650В 22.4A Aвтомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 2.4A Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Тип монтажа: Through Hole
IPP65R190C6XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 20.2A TO220 Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 20.2A(Tc) Сопротивление открытого канала: 190 мОм @ 7.3А, 10В Мощность макс.: 151Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В @ 730 µA Заряд затвора: 73нКл @ 10В Входная емкость: 1620пФ @ 100В Тип монтажа: Through Hole
IPP65R190CFDXKSA1 Полевой транзистор N-канальный 650В 17.5A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 17.5A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 151Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 68нКл Входная емкость: 1850пФ Тип монтажа: Through Hole
IPP65R225C7XKSA1 Транзистор полевой N-канальный 650В 11A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 225 мОм Мощность макс.: 63Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 996пФ Тип монтажа: Through Hole
IPP65R660CFD Полевой транзистор N-канальный 650В 6A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 660 мОм Мощность макс.: 62.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 615пФ Тип монтажа: Through Hole
IPS65R400CEAKMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 15.1A 3-Pin(3+Tab) TO-251 туба Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 15.1А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
IPT65R033G7XTMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 69A 9-Pin(8+Tab) HSOF лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 69А Тип транзистора: N-канальный
IPT65R105G7XTMA1 Полевой транзистор N-канальный 650В 24A 9-Pin(8+Tab) HSOF Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 24A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount
IPW60R075CPFKSA1 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 39 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 39A Сопротивление открытого канала: 75 мОм Мощность макс.: 313Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 116нКл Входная емкость: 4000пФ Тип монтажа: Through Hole
IPW60R125CPFKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 25А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
IPW60R165CPFKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 21А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
IPW65R045C7FKSA1 Транзистор полевой N-канальный 650В 46A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 46A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 227Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 93нКл Входная емкость: 4340пФ Тип монтажа: Through Hole
IPW65R048CFDAFKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 63.3A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 63.3А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
IPW65R065C7XKSA1 Транзистор полевой N-канальный 650В 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 33A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Through Hole
IPW65R070C6FKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 53.5А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
IPW65R080CFDAFKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 43.3A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 43.3А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"