Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (749)
Акция IRFH5406TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 40A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PQFN 5x6 mm Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 14.4 мОм Мощность макс.: 3.6Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1256пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
258 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 160,12
IRFP3006PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 257A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 2.5 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 300нКл Входная емкость: 8970пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
27 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 428,47
IRFP3206PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120А 280Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 3 мОм Мощность макс.: 280Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 170нКл Входная емкость: 6540пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
845 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 149,84
IRFP7530PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 195А 341Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 2 мОм Мощность макс.: 341Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В Заряд затвора: 411нКл Входная емкость: 13703пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
769 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 208,24
Акция IRFP7537PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 172A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 172A Сопротивление открытого канала: 3.3 мОм Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В Заряд затвора: 210нКл Входная емкость: 7020пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
296 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 170,75
IRFR1018ETRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 79A 3-Pin(2+Tab) DPAKлента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 56A(Tc) Сопротивление открытого канала: 8.4 мОм @ 47А, 10В Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 100 µA Заряд затвора: 69нКл @ 10В Входная емкость: 2290пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
899 шт

Под заказ:
790 шт
Цена от:
от 42,96
Акция IRFR3806TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 43A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 43A Сопротивление открытого канала: 15.8 мОм Мощность макс.: 71Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 1150пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
1 170 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 43,56
IRFR7540TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 90A DPAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 90A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4.8 мОм @ 66А, 10В Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В @ 100 µA Заряд затвора: 130нКл @ 10В Входная емкость: 4360пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
424 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 59,76
IRFS3006TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 195A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 195A(Tc) Сопротивление открытого канала: 2.5 мОм @ 170А, 10В Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 300нКл @ 10В Входная емкость: 8970пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
96 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 394,00
IRFS3206TRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 3 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 170нКл Входная емкость: 6540пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
485 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 146,97
Акция IRFS3306TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 4.2 мОм Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 4520пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
152 шт

Под заказ:
9 600 шт
Цена от:
от 152,42
IRFS3806TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 43A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 43A(Tc) Сопротивление открытого канала: 15.8 мОм @ 25А, 10В Мощность макс.: 71Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 50 µA Заряд затвора: 30нКл @ 10В Входная емкость: 1150пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
1 101 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 97,51
IRFS7530TRL7PP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 240A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK-7 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 240A(Tc) Сопротивление открытого канала: 1.4 мОм @ 100А, 10В Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В @ 250 µA Заряд затвора: 354нКл @ 10В Входная емкость: 12960пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
3 600 шт
Цена от:
от 225,03
Акция IRFZ44EPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 48А 110Вт, 0.023 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 48A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 1360пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
812 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 87,18
IRFZ44ESTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 48А 110Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 48A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 1360пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
2 976 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 83,20
IRFZ44VPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 55А 115Вт, 0.0165 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 55A Сопротивление открытого канала: 16.5 мОм Мощность макс.: 115Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 67нКл Входная емкость: 1812пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
9 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 50,86
IRLB3036PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 190А 380Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 2.4 мОм Мощность макс.: 380Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 140нКл Входная емкость: 11210пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
146 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 342,25
IRLML0060TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.7А 1.25Вт, 0.092 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: Micro3™ (SOT-23/TO-236AB) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 92 мОм Мощность макс.: 1.25Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 2.5нКл Входная емкость: 290пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
2 251 шт

Под заказ:
11 000 шт
Аналоги:
150 494 шт
Цена от:
от 11,29
Акция IRLU3636PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50A IPAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: I-Pak Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 50A(Tc) Сопротивление открытого канала: 6.8 мОм @ 50А, 10В Мощность макс.: 143Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В @ 100 µA Заряд затвора: 49нКл @ 4.5В Входная емкость: 3779пФ @ 50В Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
97 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 147,79
JMPL0648AK-13 Транзистор полевой MOSFET силовой 60В 23A 40мОм P-канальный Производитель: Jiangsu JieJie Microelectronics Co., Ltd. Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 23А Сопротивление открытого канала: 40мОм Тип транзистора: P-канальный
Наличие:
0 шт

Под заказ:
35 000 шт
Аналоги:
159 190 шт
Цена от:
от 19,32
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"