Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (124)
IRFS3307ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 5.8 мОм Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 4750пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFS3307ZTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 5.8 мОм Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 4750пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRFS3607PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 80A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 84нКл Входная емкость: 3070пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
600 шт
Цена от:
от 152,30
IRFS7730PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 195A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DBІPAK (TO-263AB) Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 2.6 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В Заряд затвора: 407нКл Входная емкость: 13660пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFS7730TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 195A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DBІPAK (TO-263AB) Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 2.6 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В Заряд затвора: 407нКл Входная емкость: 13660пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFS7787TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 76A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 76A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount
IRFSL3107PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 195A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-262 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 3 мОм Мощность макс.: 370Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 240нКл Входная емкость: 9370пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFU3607PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 56А 140Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-251AA Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 56A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 84нКл Входная емкость: 3070пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFU7740PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 87A I-PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: I-Pak Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 87A(Tc) Сопротивление открытого канала: 7.2 мОм @ 52А, 10В Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В @ 100 µA Заряд затвора: 126нКл @ 10В Входная емкость: 4430пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
IRFU7746PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 56A I-PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: I-Pak Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 56A(Tc) Сопротивление открытого канала: 11.2 мОм @ 35А, 10В Мощность макс.: 99Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В @ 100 µA Заряд затвора: 89нКл @ 10В Входная емкость: 3107пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
MMIX1F520N075T2 Полевой транзистор N-канальный 75В 500A 21-Pin Производитель: IXYS Corporation Корпус: 24-SMPD Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 500A Сопротивление открытого канала: 1.6 мОм Мощность макс.: 830Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 545нКл Входная емкость: 41000пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI7174DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 72нКл Входная емкость: 2770пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI7812DN-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 16 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 37 мОм Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 24нКл Входная емкость: 840пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIE818DF-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PolarPAKВ®10-(L) Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 9.5 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 95нКл Входная емкость: 3200пФ Тип монтажа: Surface Mount
SMP3003-DL-1E Полевой транзистор, P-канальный, 75 В, 100 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Заряд затвора: 280нКл Входная емкость: 13400пФ Тип монтажа: Surface Mount
STB160N75F3 Транзистор полевой N-канальный 75В 120А 330Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 4 мОм Мощность макс.: 330Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 85нКл Входная емкость: 6750пФ Тип монтажа: Surface Mount
STB75NF75LT4 Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 75 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 11 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 90нКл Входная емкость: 4300пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция STD45NF75T4 Транзистор полевой N-канальный 75В 40A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 80нКл Входная емкость: 1760пФ Тип монтажа: Surface Mount
STH240N75F3-6 Транзистор полевой N-канальный 75В 180A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 180A Сопротивление открытого канала: 3 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 100нКл Входная емкость: 6800пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция STL40N75LF3 Транзистор полевой N-канальный 75В 40A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 19 мОм Мощность макс.: 62Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"