Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (186)
Акция FQB46N15 Транзистор полевой N-канальный 150В 45А 210Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 45A Мощность макс.: 210Вт Тип транзистора: N-канал
FQD5N15TM Полевой транзистор N-канальный 150В 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 4.3A Сопротивление открытого канала: 800 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 7нКл Входная емкость: 230пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQP45N15V2 Транзистор полевой N-канальный 150В 45A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 45A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 220Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 94нКл Входная емкость: 3030пФ Тип монтажа: Through Hole
FQP46N15 Транзистор полевой N-канальный 150В 45.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 45.6A Сопротивление открытого канала: 42 мОм Мощность макс.: 210Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 3250пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция FQPF16N15 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 12А 0,16 Ом Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 11.6A Сопротивление открытого канала: 160 мОм Мощность макс.: 53Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 910пФ Тип монтажа: Through Hole
IPA075N15N3GXKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 43A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 43А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
IPB048N15N5LFATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 120А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
IPB065N15N3GATMA1 Транзистор полевой N-канальный 150В 130A Aвтомобильного применения 7-Pin(6+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 130A Сопротивление открытого канала: 6.5 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 93нКл Входная емкость: 7300пФ Тип монтажа: Surface Mount
IPB530N15N3GATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 21A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 21А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
IPD200N15N3GATMA1 Полевой транзистор N-канальный 150В 50A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 50A Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Тип монтажа: Surface Mount
IPD530N15N3GATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 21A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 21А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
IPI075N15N3GXKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 100A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-262 туба Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 100А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
IPI111N15N3GAKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 83A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-262 туба Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 83А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
IPP075N15N3GXKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 100A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 100А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
IPP076N15N5AKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 112А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
IPP111N15N3GXKSA1 Транзистор полевой N-канальный 150В 83A Aвтомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 83A Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Тип монтажа: Through Hole
IPP530N15N3GXKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 21A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 21А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
IPT059N15N3ATMA1 Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 155 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-HSOF-8-1 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 155A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount
IRF3315PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 23A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 23A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 94Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 95нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRF3415SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 43A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 43A Сопротивление открытого канала: 42 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 200нКл Входная емкость: 2400пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
1 232 шт
Цена от:
от 144,18
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"