Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (1326)
SIHG47N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 47A Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 47A Сопротивление открытого канала: 64 мОм Мощность макс.: 357Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 220нКл Входная емкость: 9620пФ Тип монтажа: Through Hole
SIHG73N60E-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 73 А Производитель: Vishay Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 73A Сопротивление открытого канала: 39 мОм Мощность макс.: 520Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 362нКл Входная емкость: 7700пФ Тип монтажа: Through Hole
SIHP12N60E-GE3 Транзистор полевой N-канальный 600В 12A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 147Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 58нКл Входная емкость: 937пФ Тип монтажа: Through Hole
SIHP15N60E-GE3 Транзистор полевой N-канальный 600В 15A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 280 мОм Мощность макс.: 180Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 78нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Through Hole
SIHP22N60E-GE3 Транзистор полевой N-канальный 600В 21A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 227Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 86нКл Входная емкость: 1920пФ Тип монтажа: Through Hole
SIHP24N65E-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 24 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 24A Сопротивление открытого канала: 145 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 122нКл Входная емкость: 2740пФ Тип монтажа: Through Hole
SIHP30N60E-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 29 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 29A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 2600пФ Тип монтажа: Through Hole
SIHP7N60E-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 7 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 78Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 680пФ Тип монтажа: Through Hole
SPD30P06PG Полевой транзистор P-канальный 60В 30A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: P-TO252-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 75 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 1535пФ Тип монтажа: Surface Mount
STB100NF04T4 Транзистор полевой N-канальный 40В 120A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 4.6 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 150нКл Входная емкость: 5100пФ Тип монтажа: Surface Mount
STB10N60M2 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 7.5 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 7.5A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 85Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 13.5нКл Входная емкость: 400пФ Тип монтажа: Surface Mount
STB120N4F6 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 80A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 4 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 3850пФ Тип монтажа: Surface Mount
STB120NF10T4 Транзистор полевой N-канальный 100В 110A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 110A Сопротивление открытого канала: 10.5 мОм Мощность макс.: 312Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 233нКл Входная емкость: 5200пФ Тип монтажа: Surface Mount
STB13NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11А 90Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 360 мОм Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 790пФ Тип монтажа: Surface Mount
STB140NF55T4 Транзистор полевой N-канальный 55В 80A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 142нКл Входная емкость: 5300пФ Тип монтажа: Surface Mount
STB150NF55T4 Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 120 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 6 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 190нКл Входная емкость: 4400пФ Тип монтажа: Surface Mount
STB155N3H6 Транзистор полевой N-канальный 30В 80A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 3 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 62нКл Входная емкость: 3650пФ Тип монтажа: Surface Mount
STB160N75F3 Транзистор полевой N-канальный 75В 120А 330Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 4 мОм Мощность макс.: 330Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 85нКл Входная емкость: 6750пФ Тип монтажа: Surface Mount
STB18N60M2 Транзистор полевой N-канальный 600В Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 280 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 21.5нКл Входная емкость: 791пФ Тип монтажа: Surface Mount
STB18NF25 Транзистор полевой N-канальный 250В 17A Aвтомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 165 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 29.5нКл Входная емкость: 1000пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"