Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
RRR030P03TL
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3A
Производитель: ROHM
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 3А
Тип транзистора: P-канальный
RSS060P05
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 45В 6А 2Вт
Производитель: ROHM
Корпус: SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 45В
Ток стока макс.: 6A
Мощность макс.: 2Вт
Тип транзистора: P-канал
RSS070N05
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 45В 7А 2Вт
Производитель: ROHM
Корпус: SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 45В
Ток стока макс.: 7A
Мощность макс.: 2Вт
Тип транзистора: N-канал
RSS085N05
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 45В 8.5А 2Вт
Производитель: ROHM
Корпус: SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 45В
Ток стока макс.: 8.5A
Мощность макс.: 2Вт
Тип транзистора: N-канал
RSS100N03
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 10А 2Вт
Производитель: ROHM
Корпус: SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 10A
Мощность макс.: 2Вт
Тип транзистора: N-канал
SPA07N60C3XKSA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 7.3A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: PG-TO220-FP
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 7.3A
Сопротивление открытого канала: 600 мОм
Мощность макс.: 32Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
Заряд затвора: 27нКл
Входная емкость: 790пФ
Тип монтажа: Through Hole
SPA11N60C3XKSA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11А 34Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220FP
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 11A
Сопротивление открытого канала: 380 мОм
Мощность макс.: 33Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
Заряд затвора: 60нКл
Входная емкость: 1200пФ
Тип монтажа: Through Hole
SPA11N80C3XKSA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 11A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: PG-TO220-3 (fully isolated)
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 11A
Сопротивление открытого канала: 450 мОм
Мощность макс.: 41Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
Заряд затвора: 85нКл
Входная емкость: 1600пФ
Тип монтажа: Through Hole
SPA20N60C3XKSA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20А 34Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220FP
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 20.7A
Сопротивление открытого канала: 190 мОм
Мощность макс.: 34.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
Заряд затвора: 114нКл
Входная емкость: 2400пФ
Тип монтажа: Through Hole
SPD06N80C3ATMA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 6А 83Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: PG-TO252-3
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 6A
Сопротивление открытого канала: 900 мОм
Мощность макс.: 83Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
Заряд затвора: 41нКл
Входная емкость: 785пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SPP06N80C3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 6A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: PG-TO220-3
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 6A
Сопротивление открытого канала: 900 мОм
Мощность макс.: 83Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
Заряд затвора: 41нКл
Входная емкость: 785пФ
Тип монтажа: Through Hole
SPP11N60C3XKSA1
Транзистор полевой 600В 11A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 11A
Сопротивление открытого канала: 380 мОм
Мощность макс.: 125Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
Заряд затвора: 60нКл
Входная емкость: 1200пФ
Тип монтажа: Through Hole
SPP11N80C3XKSA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 11A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: PG-TO220-3
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 11A
Сопротивление открытого канала: 450 мОм
Мощность макс.: 156Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
Заряд затвора: 85нКл
Входная емкость: 1600пФ
Тип монтажа: Through Hole
SPP20N60C3XKSA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 20.7A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 20.7A
Сопротивление открытого канала: 190 мОм
Мощность макс.: 208Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
Заряд затвора: 114нКл
Входная емкость: 2400пФ
Тип монтажа: Through Hole
SPP20N60S5XKSA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 20A
Сопротивление открытого канала: 190 мОм
Мощность макс.: 208Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В
Заряд затвора: 103нКл
Входная емкость: 3000пФ
Тип монтажа: Through Hole
SPP20N65C3XKSA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 20.7A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: PG-TO220-3-1
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 20.7A
Сопротивление открытого канала: 190 мОм
Мощность макс.: 208Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
Заряд затвора: 114нКл
Входная емкость: 2400пФ
Тип монтажа: Through Hole
SPW11N80C3FKSA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 11А 156Вт CoolMOS
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 11А
Мощность макс.: 156Вт
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Through Hole
SPW16N50C3FKSA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 560В 16A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 560В
Ток стока макс.: 16A
Сопротивление открытого канала: 280 мОм
Мощность макс.: 160Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
Заряд затвора: 66нКл
Входная емкость: 1600пФ
Тип монтажа: Through Hole
SPW20N60C3FKSA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 20.7A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 20.7A
Сопротивление открытого канала: 190 мОм
Мощность макс.: 208Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
Заряд затвора: 114нКл
Входная емкость: 2400пФ
Тип монтажа: Through Hole
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России и Беларуси
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.