Одиночные MOSFET транзисторы

₁₁₂

Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Chassis Mount (9)
Through Hole (1905)
Surface Mount (3539)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (112)

NTA4001NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 238мА

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SC-75

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

238мА

Сопротивление открытого канала:

3 Ом

Мощность макс.:

300мВт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Входная емкость:

20пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTA7002NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 154мА, 0.3Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SC-75/SOT-416

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

154мА

Сопротивление открытого канала:

7 Ом

Мощность макс.:

300мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Входная емкость:

20пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTGS3433T1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 2.35A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

6-TSOP

Напряжение исток-сток макс.:

12В

Ток стока макс.:

2.35A

Сопротивление открытого канала:

75 мОм

Мощность макс.:

500мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

15нКл

Входная емкость:

550пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTGS3441T1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1.65A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

6-TSOP

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

1.65A

Сопротивление открытого канала:

90 мОм

Мощность макс.:

500мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

14нКл

Входная емкость:

480пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTGS3443T1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2.2A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

6-TSOP

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

2.2A

Сопротивление открытого канала:

65 мОм

Мощность макс.:

500мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

15нКл

Входная емкость:

565пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTHD3101FT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.2A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

ChipFET[тм]

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

3.2A

Сопротивление открытого канала:

80 мОм

Мощность макс.:

1.1Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Diode (Isolated)

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

7.4нКл

Входная емкость:

680пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTHS4101PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 4.8А 1.3Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

ChipFET[тм]

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

4.8A

Сопротивление открытого канала:

34 мОм

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

2100пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTS4001NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 270мА, 0.33Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-323

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

270мА

Сопротивление открытого канала:

1.5 Ом

Мощность макс.:

330мВт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

1.3нКл

Входная емкость:

33пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTS4101PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1.37A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SC-70-3 (SOT323)

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

1.37A

Сопротивление открытого канала:

120 мОм

Мощность макс.:

329мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

9нКл

Входная емкость:

840пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTS4173PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 1.2A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SC-70-3 (SOT323)

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

1.2A

Сопротивление открытого канала:

150 мОм

Мощность макс.:

290мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

10.1нКл

Входная емкость:

430пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTS4409NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 700мА

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SC-70-3 (SOT323)

Напряжение исток-сток макс.:

25В

Ток стока макс.:

700мА

Сопротивление открытого канала:

350 мОм

Мощность макс.:

280мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

1.5нКл

Входная емкость:

60пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NVJS4405NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 1A автомобильного применения 6-Pin SOT-363 лента на катушке

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SC-88/SC70-6/SOT-363

Напряжение исток-сток макс.:

25В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

350 мОм

Мощность макс.:

630мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

1.5нКл

Входная емкость:

60пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NVS4409NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 0.7A автомобильного применения 3-Pin SC-70 лента на катушке

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SC-70-3 (SOT323)

Напряжение исток-сток макс.:

25В

Ток стока макс.:

700мА

Сопротивление открытого канала:

350 мОм

Мощность макс.:

280мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

1.5нКл

Входная емкость:

60пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NX3020NAK,215 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 200мА

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-23 (TO-236AB)

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

200мА

Сопротивление открытого канала:

4.5 Ом

Мощность макс.:

300мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive, Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

0.44нКл

Входная емкость:

48пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Новинка

NX3020NAKW,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 180мА

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-323

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

180мА

Сопротивление открытого канала:

4.5 Ом

Мощность макс.:

260мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive, Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

0.44нКл

Входная емкость:

48пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

PMF370XN,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 0.87A 3-Pin SC-70 лента на катушке

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-323

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

870мА

Сопротивление открытого канала:

440 мОм

Мощность макс.:

560мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

0.65нКл

Входная емкость:

37пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

SI1308EDL-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 1.4A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-323

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

1.4A

Сопротивление открытого канала:

132 мОм

Мощность макс.:

500мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

4.1нКл

Входная емкость:

105пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI1443EDH-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 4A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-363

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

54 мОм

Мощность макс.:

2.8Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

28нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2300DS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 3.6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

3.6A

Сопротивление открытого канала:

68 мОм

Мощность макс.:

1.7Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

10нКл

Входная емкость:

320пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2399DS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

34 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

835пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68714 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"