Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)
Through Hole (1889)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (158)

IRLR7821PBF Транзистор полевой N-канальный 30В 65A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 65A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 75Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 1030пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRLR9343PBF Транзистор полевой P-канальный 55В 20А 79Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 105 мОм Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 47нКл Входная емкость: 660пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

215 шт

Цена от:

от 92,86₽

NDP6020P Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 24 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 24A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1590пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

NDS331N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1.3А 0.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (SUPERSOT-23) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.3A Сопротивление открытого канала: 160 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 5нКл Входная емкость: 162пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NDS332P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1А 0.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: 3-SSOT Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1A Сопротивление открытого канала: 300 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 5нКл Входная емкость: 195пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTF6P02T3G Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 10 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 8.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTGS3136PT1G Транзистор полевой P-канальный 20В 3.7A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.7A Сопротивление открытого канала: 33 мОм Мощность макс.: 700мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.8V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 1901пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTJS3157NT1G Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 3.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.2A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 500пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTLJF3117PT1G Полевой транзистор P-канальный 20В 3.3A 6-Pin WDFN лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: 6-WDFN (2x2) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2.3A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 710мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Diode (Isolated) Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 6.2нКл Входная емкость: 531пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTLJF4156NT1G Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 2.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: 6-WDFN (2x2) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 710мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Diode (Isolated) Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 6.5нКл Входная емкость: 427пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTLJS4114NT1G Транзистор полевой N-канальный 30В 3.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: 6-WDFN (2x2) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.6A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 700мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.8V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 650пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTNS3A65PZT5G Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 235 мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-883 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 281мА Сопротивление открытого канала: 1.3 Ом Мощность макс.: 155мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 1.1нКл Входная емкость: 44пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTNS3A91PZT5G Транзистор полевой P-канальный 20В 223мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: 3-XLLGA (0.62x0.62) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 223мА Сопротивление открытого канала: 1.6 Ом Мощность макс.: 121мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 1.1нКл Входная емкость: 41пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTNUS3171PZT5G Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 200 мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-1123 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 150мА Сопротивление открытого канала: 3.5 Ом Мощность макс.: 125мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Входная емкость: 13пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTR2101PT1G Транзистор полевой P-канальный 8В 3.7А 0.96Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 8В Ток стока макс.: 3.7А Сопротивление открытого канала: 52 мОм Мощность макс.: 960мВт Тип транзистора: P-канальный Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 1173пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTR3A30PZT1G Полевой транзистор P-канальный 20В 2.9A 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 38 мОм Мощность макс.: 480мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 17.6нКл Входная емкость: 1651пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTZS3151PT1G Транзистор полевой P-канальный 20В 860мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-563-6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 860мА Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 170мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 5.6нКл Входная емкость: 458пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

RZM002P02T2L Транзистор полевой P-канальный 20В 0.2A VMT3 Производитель: ROHM Корпус: VMT3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 200мА Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 150мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.2V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 1.4нКл Входная емкость: 115пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI1012CR-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 20В 630мА Производитель: Vishay Корпус: SC-75A Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 630мА Сопротивление открытого канала: 396 мОм Мощность макс.: 240мВт Тип транзистора: N-канальный Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 2нКл Входная емкость: 43пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI1062X-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 20В Производитель: Vishay Корпус: SC-89 Напряжение исток-сток макс.: 20В Сопротивление открытого канала: 420 мОм Мощность макс.: 220мВт Тип транзистора: N-канальный Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 2.7нКл Входная емкость: 43пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"