Одиночные MOSFET транзисторы

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Through Hole(1888)
Surface Mount(3523)
Chassis Mount(4)

Умный фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (94)

IRFZ44VZSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 57A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 57A(Tc) Сопротивление открытого канала: 12 мОм @ 34А, 10В Мощность макс.: 92Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 65нКл @ 10В Входная емкость: 1690пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFZ44ZLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 51A TO-262 Производитель: Infineon Technologies Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 51A(Tc) Сопротивление открытого канала: 13.9 мОм @ 31А, 10В Мощность макс.: 80Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 43нКл @ 10В Входная емкость: 1420пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFZ46NLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 53A TO-262 Производитель: Infineon Technologies Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 53A(Tc) Сопротивление открытого канала: 16.5 мОм @ 28А, 10В Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 72нКл @ 10В Входная емкость: 1696пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IXTP10P50P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 500В 10A TO-220 Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 10A(Tc) Сопротивление открытого канала: 1 Ом @ 5А, 10В Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 50нКл @ 10В Входная емкость: 2840пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Новинка

SI2337DS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 80В 2.2A Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 2.2A(Tc) Сопротивление открытого канала: 270 мОм @ 1.2А, 10В Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 17нКл @ 10В Входная емкость: 500пФ @ 40В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB40NF20 MOSFET N-CH 200V 40A D2PAK Производитель: ST Microelectronics Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 40A(Tc) Сопротивление открытого канала: 45 мОм @ 20А, 10В Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 75нКл @ 10В Входная емкость: 2500пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD16N50M2 MOSFET N-CH 500V 13A DPAK Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 13A(Tc) Сопротивление открытого канала: 280 мОм @ 6.5А, 10В Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 19.5нКл @ 10В Входная емкость: 710пФ @ 100В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STF40N60M2 Транзистор полевой N-канальный 600В 34A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 34A(Tc) Сопротивление открытого канала: 88 мОм @ 17А, 10В Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 57нКл @ 10В Входная емкость: 2500пФ @ 100В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STF5N60M2 Транзистор полевой N-канальный 600В 3.7A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 3.7A(Tc) Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом @ 1.85А, 10В Мощность макс.: 20Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 4.5нКл @ 10В Входная емкость: 165пФ @ 100В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STF7N65M2 MOSFET N-CH 650V 5A TO-220FP Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 5A(Tc) Сопротивление открытого канала: 1.15 Ом @ 2.5А, 10В Мощность макс.: 20Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 9нКл @ 10В Входная емкость: 270пФ @ 100В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STF9N60M2 MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220FP Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 5.5A(Tc) Сопротивление открытого канала: 780 мОм @ 3А, 10В Мощность макс.: 20Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 10нКл @ 10В Входная емкость: 320пФ @ 100В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STP60NF06FP Полевой транзистор N-канальный 60В 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 30A(Tc) Сопротивление открытого канала: 16 мОм @ 30А, 10В Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 66нКл @ 10В Входная емкость: 1810пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STW24N60M2 MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 18A(Tc) Сопротивление открытого канала: 190 мОм @ 9А, 10В Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 29нКл @ 10В Входная емкость: 1060пФ @ 100В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

ZXMP10A13FTA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 0.7A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23-3 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 600мА(Ta) Сопротивление открытого канала: 1 Ом @ 600mА, 10В Мощность макс.: 625мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 3.5нКл @ 10В Входная емкость: 141пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"