Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Chassis Mount (4)
Through Hole (1890)
Surface Mount (3523)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (264)

FDP52N20 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 52А 357Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 52A Сопротивление открытого канала: 49 мОм Мощность макс.: 357Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 2900пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDPF39N20 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 39А 0066 Ом, 37Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 39A Сопротивление открытого канала: 66 мОм Мощность макс.: 37Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 49нКл Входная емкость: 2130пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDS2670 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 130 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 43нКл Входная емкость: 1228пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS2672 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 3.9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 3.9A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 46нКл Входная емкость: 2535пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQA32N20C Транзистор полевой N-канальный 200В 32A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 32A Сопротивление открытого канала: 82 мОм Мощность макс.: 204Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 2220пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQA65N20 Транзистор полевой N-канальный 200В 65A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 65A Сопротивление открытого канала: 32 мОм Мощность макс.: 310Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 200нКл Входная емкость: 7900пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQB12P20TM Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 11.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-263-3 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 11.5A Сопротивление открытого канала: 470 мОм Мощность макс.: 3.13Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQB19N20CTM Транзистор полевой N-канальный 200В 19A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 170 мОм Мощность макс.: 3.13Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 53нКл Входная емкость: 1080пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FQB19N20LTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 21А 140 мОм, 3.13Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 140 мОм Мощность макс.: 3.13Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 2200пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQB19N20TM Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 19.4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 19.4A Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 3.13Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1600пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQB34N20LTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 31A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DBІPAK Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 31A Сопротивление открытого канала: 75 мОм Мощность макс.: 3.13Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 72нКл Входная емкость: 3900пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQB7P20TM Транзистор полевой P-канальный 200В 7.3A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 7.3A Сопротивление открытого канала: 690 мОм Мощность макс.: 3.13Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 770пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD10N20CTM Транзистор полевой N-канальный 200В 7.8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 7.8A Сопротивление открытого канала: 360 мОм Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 510пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD10N20LTM Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 7.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 7.6A Сопротивление открытого канала: 360 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 830пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD12N20LTM Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 280 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 21нКл Входная емкость: 1080пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD12N20LTM-F085 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 9А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD12N20TM Транзистор полевой N-канальный 200В 9A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 280 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 23нКл Входная емкость: 910пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD18N20V2TM Транзистор полевой N-канальный 200В 15A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 140 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 1080пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD4N20TM Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 6.5нКл Входная емкость: 220пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD5N20LTM Транзистор полевой N-канальный 200В 3.8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 3.8A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 6.2нКл Входная емкость: 325пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"