Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (190)
FQP8N80C Транзистор полевой N-канальный 800В 8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 1.55 Ом Мощность макс.: 178Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 2050пФ Тип монтажа: Through Hole
FQPF2N80YDTU Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 1.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 1.5A Сопротивление открытого канала: 6.3 Ом Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 550пФ Тип монтажа: Through Hole
FQPF3N80C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 1.8А 39Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 4.8 Ом Мощность макс.: 39Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 16.5нКл Входная емкость: 705пФ Тип монтажа: Through Hole
FQPF7N80C Транзистор полевой N-канальный 800В 6.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 6.6A Сопротивление открытого канала: 1.9 Ом Мощность макс.: 56Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1680пФ Тип монтажа: Through Hole
FQPF8N80C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 8А 59Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 1.55 Ом Мощность макс.: 59Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 2050пФ Тип монтажа: Through Hole
FQPF8N80CYDTU Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 1.55 Ом Мощность макс.: 59Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 2050пФ Тип монтажа: Through Hole
FQT1N80TF_WS Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 0.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 200мА Сопротивление открытого канала: 20 Ом Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 7.2нКл Входная емкость: 195пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQU1N80TU Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 1A IPAK Производитель: ON Semiconductor Корпус: I-Pak Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 1A(Tc) Сопротивление открытого канала: 20 Ом @ 500mА, 10В Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 7.2нКл @ 10В Входная емкость: 195пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
IPA80R1K0CEXKSA2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 5.7А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
IPA80R280P7XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 17А 30Вт, CoolMOS Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO220 Full Pack Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 17А Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
IPA80R310CEXKSA2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 16.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 16.7А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
IPA80R450P7XKSA1 Транзистор полевой N-канальный 800В 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 450 мОм Мощность макс.: 29Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 24нКл Входная емкость: 770пФ Тип монтажа: Through Hole
IPA80R460CEXKSA2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 10.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 10.8А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
IPA80R600P7XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
IPA80R750P7XKSA1 Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
IPAN80R450P7XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 11А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
IPB80R290C3AATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 17A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 17А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
IPD80R1K0CEATMA1 Полевой транзистор N-канальный 800В 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 5.7A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount
IPD80R1K4CEATMA1 Транзистор полевой N-канальный 800В 3.9A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 3.9A Тип транзистора: N-канал
IPD80R1K4P7ATMA1 Транзистор полевой N-канальный 800В 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 4A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.71 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"