Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (410)
BSR802NL6327 Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A Automotive Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.7А Тип транзистора: N-канальный Особенности: Automotive
BSS205NH6327 Полевой транзистор N-канальный 20В 2.5A SOT23 Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2.5A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount
BSS214NH6327 Полевой транзистор N-канальный 20В 1.5A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.5A Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Тип монтажа: Surface Mount
BSS214NWH6327 Транзистор полевой N-канальный 20В 1.5A SOT323 Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.5A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount
BSS215PH6327 Полевой транзистор P-канальный 20В 1.5A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.5A Тип транзистора: P-канал Особенности: Automotive Тип монтажа: Surface Mount
BSS806NH6327 Полевой транзистор N-канальный 20В 2.3A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2.3A Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Тип монтажа: Surface Mount
BSS816NWH6327 Транзистор полевой N-канальный 20В 1.4A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-323 лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.4A Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Тип монтажа: Surface Mount
CSD15380F3T Полевой транзистор N-канальный 20В 0.5A 3-Pin PicoStar лента на катушке Производитель: Texas Instruments Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 0.5A Тип транзистора: N-канал
CSD25310Q2 Транзистор полевой P-канальный 20В 20A 6-Pin WSON EP лента на катушке Производитель: Texas Instruments Корпус: SON6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 23.9 мОм Мощность макс.: 2.9Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 4.7нКл Входная емкость: 655пФ Тип монтажа: Surface Mount
CSD25402Q3A Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 72A Производитель: Texas Instruments Корпус: VSONP-8 (3.3 mm x 3.3) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 72A Сопротивление открытого канала: 8.9 мОм Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.15В Заряд затвора: 9.7нКл Входная емкость: 1790пФ Тип монтажа: Surface Mount
CSD25483F4 Полевой транзистор P-канальный 20В 1.6A 3-Pin PicoStar лента на катушке Производитель: Texas Instruments Корпус: SON3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.6A(Ta) Сопротивление открытого канала: 205 мОм @ 500mА, 8В Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В @ 250 µA Заряд затвора: 0.959нКл @ 4.5В Входная емкость: 198пФ @ 10В
CSD25483F4T Полевой транзистор, P-канальный, 20 В Производитель: Texas Instruments Корпус: SON3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.6A Сопротивление открытого канала: 205 мОм Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В Заряд затвора: 0.96нКл Входная емкость: 198пФ Тип монтажа: Surface Mount
CSD85301Q2 Транзистор полевой N-канальный 20В 5A 6-Pin WSON EP лента на катушке Производитель: Texas Instruments Корпус: WSON-6 (2x2) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 27 мОм @ 5А, 4.5В Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
DMG1012T-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 0.63A автомобильного применения 3-Pin SOT-523 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-523 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 630мА Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 280мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 0.74нКл Входная емкость: 60.67пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMG1012UW-7 Транзистор полевой N-канальный 20В 1A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-323 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1A Сопротивление открытого канала: 450 мОм Мощность макс.: 290мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 0.74нКл Входная емкость: 60.67пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMG1013T-7 Транзистор полевой P-канальный 20В 0.46A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-523 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-523 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 460мА Сопротивление открытого канала: 700 мОм Мощность макс.: 270мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 0.622нКл Входная емкость: 59.76пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMG1013UW-7 Транзистор полевой P-канальный 20В 0.82A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-323 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 820мА Сопротивление открытого канала: 750 мОм Мощность макс.: 310мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 0.622нКл Входная емкость: 59.76пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMG2301U-7 Транзистор полевой P-канальный 20В 2.7A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 130 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 6.5нКл Входная емкость: 608пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMG2302U-7 Транзистор полевой N-канальный 20В 4.2A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 4.2A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 7нКл Входная емкость: 594.3пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMG2302UK-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 2.8A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2.8A Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.71155 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"