Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)
Through Hole (1890)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (716)

Акция

IRF520NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 9.7А 48Вт, 0.20 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 9.7A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 330пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

2 010 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 42,45₽

Акция

IRF520NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 9.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 9.7A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 330пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

114 шт

Под заказ:

500 шт

Цена от:

от 92,85₽

IRF530NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 14А 88Вт, 0.16 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 37нКл Входная емкость: 920пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

5 038 шт

Под заказ:

2 375 шт

Цена от:

от 32,40₽

Акция

IRF530NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 17А 3.8Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 37нКл Входная емкость: 920пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

2 976 шт

Под заказ:

1 000 шт

Цена от:

от 44,76₽

IRF540NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 33А 3.8Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 33A Сопротивление открытого канала: 44 мОм Мощность макс.: 130Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 71нКл Входная емкость: 1960пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

5 493 шт

Под заказ:

1 720 шт

Цена от:

от 36,84₽

IRF540ZLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 36A TO-262 Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-262-3 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 36A(Tc) Сопротивление открытого канала: 26.5 мОм @ 22А, 10В Мощность макс.: 92Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 63нКл @ 10В Входная емкость: 1770пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

150 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 150,20₽

IRF540ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 36А 92Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 36A Сопротивление открытого канала: 26.5 мОм Мощность макс.: 92Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 1770пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

1 702 шт

Под заказ:

200 шт

Цена от:

от 58,32₽

IRF6645TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 5.7A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] SJ Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 5.7A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.9В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 890пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

49 шт

Цена от:

от 153,47₽

Акция

IRF7452TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 4.5A, 2.5Вт 8-Pin SOIC лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 930пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

49 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 275,47₽

IRF7495TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 7.3A 8-Pin SOIC лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 7.3A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 51нКл Входная емкость: 1530пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

1 343 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 72,09₽

IRF7853TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 8.3A 8-SOIC Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 8.3A(Ta) Сопротивление открытого канала: 18 мОм @ 8.3А, 10В Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4.9В @ 100 µA Заряд затвора: 39нКл @ 10В Входная емкость: 1640пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

2 024 шт

Под заказ:

8 000 шт

Цена от:

от 60,25₽

IRF8010PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80А 260Вт, 0.015 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 260Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 3830пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

458 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 119,38₽

IRF9520NPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 6.8А 48Вт, 0.48 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 6.8A Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: P-канал Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

176 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 98,59₽

IRF9530NPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 14А 79Вт, 0.2 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 58нКл Входная емкость: 760пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

471 шт

Под заказ:

25 000 шт

Цена от:

от 23,01₽

IRF9530NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 14A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 58нКл Входная емкость: 760пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

505 шт

Под заказ:

100 шт

Цена от:

от 53,04₽

IRF9540NPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 23А 140Вт, 0.117 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 23A Сопротивление открытого канала: 117 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 97нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

3 822 шт

Под заказ:

149 600 шт

Цена от:

от 23,37₽

IRF9540NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 23A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 23A Сопротивление открытого канала: 117 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 1450пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

843 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 66,36₽

IRFB4310PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 130А 300Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 130A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 250нКл Входная емкость: 7670пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

918 шт

Под заказ:

8 000 шт

Цена от:

от 144,01₽

IRFB4310ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 120А 250Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 6 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 170нКл Входная емкость: 6860пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

1 501 шт

Под заказ:

300 шт

Цена от:

от 110,16₽

IRFB4410PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 96А 250Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 88A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 180нКл Входная емкость: 5150пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

238 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 163,41₽

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"