Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (749)
Акция BUK9Y15-60E,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 53A LFPAK Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK56 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 53A(Tc) Сопротивление открытого канала: 13 мОм @ 15А, 10В Мощность макс.: 95Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В @ 1mA Заряд затвора: 17.2нКл @ 5В Входная емкость: 2603пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
77 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 41,19
Новинка IPB010N06NATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 180A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
500 шт
Цена от:
от 560,34
IPD038N06N3GATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 90A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
5 000 шт
Цена от:
от 96,34
IPD90N06S407ATMA2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 90A DPAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 90А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
180 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 199,77
IPP032N06N3GXKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A 188Вт 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба, CoolMOS Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120А Мощность макс.: 188Вт Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
29 шт

Под заказ:
5 000 шт
Цена от:
от 128,62
IRF1010EPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 84А 170Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 84A Сопротивление открытого канала: 12 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 3210пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
757 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 74,49
Акция IRF1010EZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 75А 140Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 8.5 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 86нКл Входная емкость: 2810пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
193 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 117,71
IRF1018EPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 79А 110Вт, 0.0071 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 79A Сопротивление открытого канала: 8.4 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 69нКл Входная емкость: 2290пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
3 234 шт

Под заказ:
1 000 шт
Цена от:
от 57,86
Акция IRF1018ESTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 79A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 79A(Tc) Сопротивление открытого канала: 8.4 мОм @ 47А, 10В Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 100 µA Заряд затвора: 69нКл @ 10В Входная емкость: 2290пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
334 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 120,81
Акция IRF7478TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 7А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 26 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 31нКл Входная емкость: 1740пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
382 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 92,70
IRFB3006PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 195A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 2.5 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 300нКл Входная емкость: 8970пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
381 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 187,61
IRFB3206PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120А 300Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 3 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 170нКл Входная емкость: 6540пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
1 194 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 74,93
IRFB3306GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 160A TO-220AB Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4.2 мОм @ 75А, 10В Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 150 µA Заряд затвора: 120нКл @ 10В Входная емкость: 4520пФ @ 50В Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
0 шт

Под заказ:
9 000 шт
Цена от:
от 71,03
IRFB3306PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 4.2 мОм Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 4520пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
506 шт

Под заказ:
5 200 шт
Цена от:
от 57,26
IRFB3806PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 43А 71Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 43A Сопротивление открытого канала: 15.8 мОм Мощность макс.: 71Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 1150пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
402 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 58,37
IRFB7530PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 195A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 2 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В Заряд затвора: 411нКл Входная емкость: 13703пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
229 шт

Под заказ:
280 шт
Цена от:
от 162,90
Акция IRFB7534PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 195А 294Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 2.4 мОм Мощность макс.: 294Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В Заряд затвора: 279нКл Входная емкость: 10034пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
596 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 96,09
IRFB7537PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 173A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 173A Сопротивление открытого канала: 3.3 мОм Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В Заряд затвора: 210нКл Входная емкость: 7020пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
159 шт

Под заказ:
2 500 шт
Цена от:
от 46,48
Акция IRFB7540PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 110A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 110A Сопротивление открытого канала: 5.1 мОм Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 4555пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
118 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 54,93
IRFB7545PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 95A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 95A Сопротивление открытого канала: 5.9 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 4010пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
1 043 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 63,50
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"