Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole(1888)
Surface Mount(3523)
Chassis Mount(4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (124)

IRFB3307PBF Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 130 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 130A Сопротивление открытого канала: 6.3 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 180нКл Входная емкость: 5150пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFB3407ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный Si 75В 122A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB туба Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 122А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFB7740PBF Транзистор полевой N-канальный 75В 87A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 87A Сопротивление открытого канала: 7.3 мОм Мощность макс.: 143Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В Заряд затвора: 122нКл Входная емкость: 4650пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFB7746PBF Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 59 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 59A Сопротивление открытого канала: 10.6 мОм Мощность макс.: 99Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В Заряд затвора: 83нКл Входная емкость: 3049пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFH7787TRPBF Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 68 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 68A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR2307ZTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 42A DPAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D-Pak Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 42A(Tc) Сопротивление открытого канала: 16 мОм @ 32А, 10В Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 100 µA Заряд затвора: 75нКл @ 10В Входная емкость: 2190пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFR2407PBF Транзистор полевой N-канальный 75В 42А 110Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 26 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 2400пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

1 534 шт

Цена от:

от 71,30₽

IRFR2407TRLPBF Полевой транзистор N-канальный 75В 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: D-Pak Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 42A(Tc) Сопротивление открытого канала: 26 мОм @ 25А, 10В Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 110нКл @ 10В Входная емкость: 2400пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR2607ZPBF Полевой транзистор N-канальный 75В 42A DPAK Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 51нКл Входная емкость: 1440пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFR3607PBF Транзистор полевой N-канальный 75В 80А 140Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 56A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 84нКл Входная емкость: 3070пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

18 шт

Цена от:

от 48,44₽

Акция

IRFR7740PBF Транзистор полевой N-канальный 75В 89A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 87A Сопротивление открытого канала: 7.2 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В Заряд затвора: 126нКл Входная емкость: 4430пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

733 шт

Цена от:

от 164,65₽

IRFR7746PBF Транзистор полевой N-канальный 75В 56A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 56A Сопротивление открытого канала: 11.2 мОм Мощность макс.: 99Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В Заряд затвора: 89нКл Входная емкость: 3107пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR7746TRPBF Транзистор полевой N-канальный 75В 56A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 56A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFS3107-7PPBF Транзистор полевой N-канальный 75В 240А 370Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO263-7 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 240A Сопротивление открытого канала: 2.6 мОм Мощность макс.: 370Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 240нКл Входная емкость: 9200пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

61 шт

Цена от:

от 759,85₽

IRFS3107PBF Транзистор полевой N-канальный 75В 195A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 3 мОм Мощность макс.: 370Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 240нКл Входная емкость: 9370пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS3107TRLPBF Транзистор полевой N-канальный 75В 195A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 3 мОм Мощность макс.: 370Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 240нКл Входная емкость: 9370пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS3207PBF Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 170 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 170A Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 260нКл Входная емкость: 7600пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS3207ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 120A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4.1 мОм @ 75А, 10В Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 150 µA Заряд затвора: 170нКл @ 10В Входная емкость: 6920пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS3307TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 120A(Tc) Сопротивление открытого канала: 6.3 мОм @ 75А, 10В Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 150 µA Заряд затвора: 180нКл @ 10В Входная емкость: 5150пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS3307ZPBF Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 120 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 5.8 мОм Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 4750пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.71 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"