Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
PSMN4R4-80PS,127
Транзистор полевой N-канальный 80В 100A
Производитель: NEXPERIA
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 100A
Сопротивление открытого канала: 4.1 мОм
Мощность макс.: 306Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 125нКл
Входная емкость: 8400пФ
Тип монтажа: Through Hole
SI2337DS-T1-E3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 80В 2.2A
Производитель: Vishay
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 2.2A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 270 мОм @ 1.2А, 10В
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA
Заряд затвора: 17нКл @ 10В
Входная емкость: 500пФ @ 40В
Тип монтажа: Surface Mount
SI2337DS-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 80В 2.2A
Производитель: Vishay
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 2.2A
Сопротивление открытого канала: 270 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 17нКл
Входная емкость: 500пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI4896DY-T1-E3
Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 6.7 А
Производитель: Vishay
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 6.7A
Сопротивление открытого канала: 16.5 мОм
Мощность макс.: 1.56Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 41нКл
Тип монтажа: Surface Mount
SI7469DP-T1-E3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 80В 28A
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 28A
Сопротивление открытого канала: 25 мОм
Мощность макс.: 83Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 160нКл
Входная емкость: 4700пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI7469DP-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 80В 28A
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 28A
Сопротивление открытого канала: 25 мОм
Мощность макс.: 83Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 160нКл
Входная емкость: 4700пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI7852ADP-T1-E3
Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 30 А
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 30A
Сопротивление открытого канала: 17 мОм
Мощность макс.: 62.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 45нКл
Входная емкость: 1825пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI7852DP-T1-GE3
Транзистор полевой N-канальный 80В 7.6A
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 7.6A
Сопротивление открытого канала: 16.5 мОм
Мощность макс.: 1.9Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 41нКл
Тип монтажа: Surface Mount
SIDR680DP-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В
Производитель: Vishay
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Surface Mount
SIJ482DP-T1-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 60 А
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 60A
Сопротивление открытого канала: 6.2 мОм
Мощность макс.: 69.4Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 2.7В
Заряд затвора: 71нКл
Входная емкость: 2425пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SIR880ADP-T1-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 60 А
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 60A
Сопротивление открытого канала: 6.3 мОм
Мощность макс.: 83Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 72нКл
Входная емкость: 2289пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SIS468DN-T1-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 30 А
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 30A
Сопротивление открытого канала: 19.5 мОм
Мощность макс.: 52Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 28нКл
Входная емкость: 780пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SQD50P08-25L_GE3
Полевой транзистор, P-канальный, 80 В, 50 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-252-3
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 50А
Мощность макс.: 136Вт
Тип транзистора: P-канальный
STH275N8F7-6AG
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 180A автомобильного применения 7-Pin(6+Tab) H2PAK лента на катушке
Производитель: ST Microelectronics
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 180А
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Surface Mount
STL130N8F7
Транзистор полевой N-канальный 80В 130А 0.0046 Ом
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TDSON-8 FL
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 130A
Сопротивление открытого канала: 3.6 мОм
Мощность макс.: 135Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 96нКл
Входная емкость: 6340пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STP140N8F7
Транзистор полевой N-канальный 80В 90A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 90A
Сопротивление открытого канала: 4.3 мОм
Мощность макс.: 200Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 96нКл
Входная емкость: 6340пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP270N8F7
Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 180 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 180A
Сопротивление открытого канала: 2.5 мОм
Мощность макс.: 315Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 193нКл
Входная емкость: 13600пФ
Тип монтажа: Through Hole
SUD40N08-16-E3
Транзистор полевой N-канальный 80В 40A
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 40A
Сопротивление открытого канала: 16 мОм
Мощность макс.: 3Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 60нКл
Входная емкость: 1960пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SUD50P08-25L-E3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 80В 50A
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 50A
Сопротивление открытого канала: 25.2 мОм
Мощность макс.: 136Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 160нКл
Входная емкость: 4700пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России и Беларуси
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.