Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (1580)
IRFR3711TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 100A DPAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D-Pak Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 100A(Tc) Сопротивление открытого канала: 6.5 мОм @ 15А, 10В Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В @ 250 µA Заряд затвора: 44нКл @ 4.5В Входная емкость: 2980пФ @ 10В Тип монтажа: Surface Mount
IRFR3711TRPBF Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 100 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 6.5 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 44нКл Входная емкость: 2980пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR7446TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 56A DPAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 56A(Tc) Сопротивление открытого канала: 3.9 мОм @ 56А, 10В Мощность макс.: 98Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В @ 100 µA Заряд затвора: 130нКл @ 10В Входная емкость: 3150пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRFR7740PBF Транзистор полевой N-канальный 75В 89A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 87A Сопротивление открытого канала: 7.2 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В Заряд затвора: 126нКл Входная емкость: 4430пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
723 шт
Цена от:
от 178,26
Акция IRFS3004PBF Транзистор полевой N-канальный 40В 195А 380Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 1.75 мОм Мощность макс.: 380Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 240нКл Входная емкость: 9200пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт.

Под заказ:
0 шт.
Аналоги:
6 шт.
Цена от:
от 288,12
IRFS3006PBF Транзистор полевой N-канальный 60В 195A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 2.5 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 300нКл Входная емкость: 8970пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт.

Под заказ:
0 шт.
Аналоги:
100 шт.
Цена от:
от 386,64
IRFS3207ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 120A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4.1 мОм @ 75А, 10В Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 150 µA Заряд затвора: 170нКл @ 10В Входная емкость: 6920пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount
IRFS4510PBF Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 61 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 61A Сопротивление открытого канала: 13.9 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 87нКл Входная емкость: 3180пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFS4510TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 61A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: DВІPAK Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 61A(Tc) Сопротивление открытого канала: 13.9 мОм @ 37А, 10В Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 100 µA Заряд затвора: 87нКл @ 10В Входная емкость: 3180пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount
IRFSL3006PBF Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 195 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 2.5 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 300нКл Входная емкость: 8970пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFSL4410ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 97A TO-262 Производитель: Infineon Technologies Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 97A(Tc) Сопротивление открытого канала: 9 мОм @ 58А, 10В Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 150 µA Заряд затвора: 120нКл @ 10В Входная емкость: 4820пФ @ 50В Тип монтажа: Through Hole
IRFU3607PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 56А 140Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-251AA Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 56A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 84нКл Входная емкость: 3070пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFU4510PBF Транзистор полевой N-канальный 100В 56A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 56A Сопротивление открытого канала: 13.9 мОм Мощность макс.: 143Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 81нКл Входная емкость: 3031пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFU7740PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 87A I-PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: I-Pak Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 87A(Tc) Сопротивление открытого канала: 7.2 мОм @ 52А, 10В Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В @ 100 µA Заряд затвора: 126нКл @ 10В Входная емкость: 4430пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
IRL1404ZSPBF Транзистор полевой N-канальный 40В 75A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 3.1 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.7В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 5080пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRL1404ZSTRLPBF Транзистор полевой N-канальный 40В 75A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 3.1 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.7В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 5080пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRL2203NSTRLPBF Полевой транзистор N-канальный 30В 116A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 116A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 3290пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRL2505SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 104A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 104A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 5000пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
36 шт
Цена от:
от 459,63
Акция IRL2703PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 24А 45Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 24A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 450пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
1 663 шт
Цена от:
от 98,45
Акция IRL2910SPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 55А 200Вт, 0.026 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 55A Сопротивление открытого канала: 26 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 140нКл Входная емкость: 3700пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
515 шт
Цена от:
от 166,05
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"