Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (6822)
IRL2505PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 104А 200Вт, 0.008 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 104A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 5000пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
38 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 178,26
IRL2505STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 104A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 104A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 5000пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
36 шт
Цена от:
от 458,40
IRL2910STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 55A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 55A Сопротивление открытого канала: 26 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 140нКл Входная емкость: 3700пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
515 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 166,05
IRL3103PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 56А 83Вт, 0.014 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 64A Сопротивление открытого канала: 12 мОм Мощность макс.: 94Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 33нКл Входная емкость: 1650пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
125 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 236,63
IRL3705NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 77А 130Вт, 0.01 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 89A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 170Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 98нКл Входная емкость: 3600пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
1 136 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 102,06
IRL3705NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 89A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 89A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 98нКл Входная емкость: 3600пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
827 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 143,94
IRL3803PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 140А 150Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 140A Сопротивление открытого канала: 6 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 140нКл Входная емкость: 5000пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
98 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 141,19
IRL3803STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 140A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 140A(Tc) Сопротивление открытого канала: 6 мОм @ 71А, 10В Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В @ 250 µA Заряд затвора: 140нКл @ 4.5В Входная емкость: 5000пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
39 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 102,14
IRL520NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 10А 48Вт, 0.18 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 440пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
719 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 55,02
IRL530NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 17А 79Вт, 0.1 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 800пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
633 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 237,92
IRL530NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 17A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 800пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
1 584 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 123,23
IRL540NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 36А 140Вт, 0.044 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 36A Сопротивление открытого канала: 44 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 74нКл Входная емкость: 1800пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
2 шт

Под заказ:
25 000 шт
Аналоги:
20 338 шт
Цена от:
от 60,98
IRL540NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 36A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 36A Сопротивление открытого канала: 44 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 74нКл Входная емкость: 1800пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
650 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 103,54
IRL6342TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 9.9A 2.5Вт 0.0146Ом SO8 Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 9.9A Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
902 шт

Под заказ:
4 000 шт
Цена от:
от 20,50
IRL7833PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 150А, 140Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 150A Сопротивление открытого канала: 3.8 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 47нКл Входная емкость: 4170пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
142 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 142,55
IRLB3034PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 195А 375Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220-3 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 1.7 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 162нКл Входная емкость: 10315пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
398 шт

Под заказ:
6 260 шт
Цена от:
от 94,96
IRLB3036PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 190А 380Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 2.4 мОм Мощность макс.: 380Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 140нКл Входная емкость: 11210пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
146 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 335,85
IRLB3813PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 260А 230Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 260A Сопротивление открытого канала: 1.95 мОм Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 86нКл Входная емкость: 8420пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
537 шт

Под заказ:
77 шт
Цена от:
от 107,16
IRLB4030PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 180А 370Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 180A Сопротивление открытого канала: 4.3 мОм Мощность макс.: 370Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 11360пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
5 шт

Под заказ:
5 000 шт
Цена от:
от 278,41
IRLB4132PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220АВ туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 150А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
147 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 105,14
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"