Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (1326)
Новинка IRFR224TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 3.8A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 3.8A Сопротивление открытого канала: 1.1 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 260пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRFR2405PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 56А 110Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 56A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 2430пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
4 704 шт
Цена от:
от 85,91
Акция IRFR2407PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 42А 110Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 26 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 2400пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
19 шт
Цена от:
от 79,92
Акция IRFR2905ZPBF Транзистор полевой Р-канальный 55В 59A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 14.5 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 44нКл Входная емкость: 1380пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR310PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 1.7А 25Вт Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 1.7A Сопротивление открытого канала: 3.6 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 170пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR310TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 1.7А 25Вт Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 1.7A Сопротивление открытого канала: 3.6 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 170пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR320PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 3.1A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 3.1A Сопротивление открытого канала: 1.8 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR320TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 3.1A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 3.1A Сопротивление открытого канала: 1.8 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR320TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 3.1А 2.5Вт Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 3.1A Сопротивление открытого канала: 1.8 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRFR3410PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 31А 110Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 31A Сопротивление открытого канала: 39 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 1690пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
7 280 шт
Цена от:
от 39,10
IRFR3411PBF Транзистор полевой N-канальный 100В 32А 130Вт, 0.044 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 32A Сопротивление открытого канала: 44 мОм Мощность макс.: 130Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 71нКл Входная емкость: 1960пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
497 шт
Цена от:
от 59,66
IRFR3504ZTRPBF Транзистор полевой N-канальный 40В 42A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 1510пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR3518PBF Транзистор полевой N-канальный 80В 38A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 38A Сопротивление открытого канала: 29 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 1710пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR3518TRPBF Транзистор полевой N-канальный 80В 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 38A Сопротивление открытого канала: 29 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 1710пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRFR3607PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 80А 140Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 56A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 84нКл Входная емкость: 3070пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
715 шт
Цена от:
от 55,26
Акция IRFR3710ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 42А 140Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 100нКл Входная емкость: 2930пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
6 447 шт
Цена от:
от 69,84
Акция IRFR3806PBF Транзистор полевой N-канальный 60В 43А 71Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 43A Сопротивление открытого канала: 15.8 мОм Мощность макс.: 71Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 1150пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
1 170 шт
Цена от:
от 43,99
Акция IRFR3910PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 16А 52Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 115 мОм Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 44нКл Входная емкость: 640пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
5 310 шт
Цена от:
от 16,72
IRFR4104PBF Транзистор полевой N-канальный 40В 42A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 5.5 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 89нКл Входная емкость: 2950пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR4104TRPBF Транзистор полевой N-канальный 40В 42A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 5.5 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 89нКл Входная емкость: 2950пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"