Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3522)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (1580)

IRF1404LPBF Транзистор полевой N-канальный 40В 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-262-3 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 162A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4 мОм @ 95А, 10В Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 200нКл @ 10В Входная емкость: 7360пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRF1404SPBF Транзистор полевой N-канальный 40В 162A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 162A Сопротивление открытого канала: 4 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 200нКл Входная емкость: 7360пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

788 шт

Цена от:

от 69,53₽

IRF1404STRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 162A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 162A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4 мОм @ 95А, 10В Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 200нКл @ 10В Входная емкость: 7360пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт.

Под заказ:

0 шт.

Аналоги:

788 шт.

Цена от:

от 163,61₽

IRF1503PBF Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 75 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 3.3 мОм Мощность макс.: 330Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 200нКл Входная емкость: 5730пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF3709PBF Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 90 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 90A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 2672пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF3709STRLPBF Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 90 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 90A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 2672пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF3709ZSTRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 87A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 87A(Tc) Сопротивление открытого канала: 6.3 мОм @ 21А, 10В Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.25В @ 250 µA Заряд затвора: 26нКл @ 4.5В Входная емкость: 2130пФ @ 15В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF3711SPBF Транзистор полевой N-канальный 20В 110A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 110A Сопротивление открытого канала: 6 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 44нКл Входная емкость: 2980пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF3717PBF Транзистор полевой N-канальный 20В 20А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 4.4 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.45В Заряд затвора: 33нКл Входная емкость: 2890пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF3717TRPBF Полевой транзистор N-канальный 20В 20A 8-Pin SOIC лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 20A(Ta) Сопротивление открытого канала: 4.4 мОм @ 20А, 10В Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.45В @ 250 µA Заряд затвора: 33нКл @ 4.5В Входная емкость: 2890пФ @ 10В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF530NSPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 14А 3.8Вт, 0.16 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 37нКл Входная емкость: 920пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

3 086 шт

Цена от:

от 51,70₽

IRF5805TRPBF Транзистор полевой P-канальный 30В 3.8A 6-Pin TSOP лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: Micro6[тм](TSOP-6) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.8A Сопротивление открытого канала: 98 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 511пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF6201PBF Транзистор полевой N-канальный 20В 27A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 27A Сопротивление открытого канала: 2.45 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 195нКл Входная емкость: 8555пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF6201TRPBF Полевой транзистор N-канальный 20В 27A 2,5Вт 0,00245Ом SO8 Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 27A(Ta) Сопротивление открытого канала: 2.45 мОм @ 27А, 4.5В Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В @ 100 µA Заряд затвора: 195нКл @ 4.5В Входная емкость: 8555пФ @ 16В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF6613TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 23A DIRECTFET Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] MT Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 23A(Ta),150A(Tc) Сопротивление открытого канала: 3.4 мОм @ 23А, 10В Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.25В @ 250 µA Заряд затвора: 63нКл @ 4.5В Входная емкость: 5950пФ @ 15В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF6614TRPBF Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 12.7 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] ST Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 12.7A Сопротивление открытого канала: 8.3 мОм Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.25В Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 2560пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF6623TRPBF Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 16 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] ST Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 5.7 мОм Мощность макс.: 1.4Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 1360пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF6714MTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 29A DIRECTFET Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] MX Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 29A(Ta),166A(Tc) Сопротивление открытого канала: 2.1 мОм @ 29А, 10В Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В @ 100 µA Заряд затвора: 44нКл @ 4.5В Входная емкость: 3890пФ @ 13В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF6716MTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 39A DIRECTFET Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] MX Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 39A(Ta),180A(Tc) Сопротивление открытого канала: 1.6 мОм @ 40А, 10В Мощность макс.: 3.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В @ 100 µA Заряд затвора: 59нКл @ 4.5В Входная емкость: 5150пФ @ 13В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF6726MTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 32A DIRECTFET Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] MT Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 32A(Ta),180A(Tc) Сопротивление открытого канала: 1.7 мОм @ 32А, 10В Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В @ 150 µA Заряд затвора: 77нКл @ 4.5В Входная емкость: 6140пФ @ 15В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"