Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1890)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (1326)

Акция

IRFIBE30GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 2.1A Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 2.1A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 78нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFIBF20GPBF Полевой транзистор, N-канальный, 900 В, 1.2 А, 30 Вт, 8 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 1.2A Сопротивление открытого канала: 8 Ом Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 490пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFIBF30GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 1.9А 35Вт, 3.7 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 1.9A Сопротивление открытого канала: 3.7 Ом Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 78нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFIZ14GPBF Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 8 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 27Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 300пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFIZ24GPBF Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 14 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 37Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 640пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFIZ24NPBF Транзистор полевой N-канальный 55В 14A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 29Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 370пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFIZ34GPBF Транзистор полевой N-канальный 60В 20A Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 42Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 46нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFIZ44GPBF Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 30 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 95нКл Входная емкость: 2500пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFIZ48GPBF Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 37 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 37A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 2400пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFL014NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.7А 2.0Вт, 0.2 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 1.9A Сопротивление открытого канала: 160 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 190пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

6 849 шт

Цена от:

от 26,92₽

Акция

IRFL014PBF Транзистор полевой N-канальный 60В 2.7А 2.0Вт, 0.2 Ом Производитель: Vishay Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 300пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFL014TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.7А 2.0Вт, 0.2 Ом Производитель: Vishay Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 300пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFL024NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 2.8А 2.1Вт, 0.075 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 2.8A Сопротивление открытого канала: 75 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 18.3нКл Входная емкость: 400пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

11 684 шт

Цена от:

от 29,81₽

Акция

IRFL024ZPBF Транзистор полевой N-канальный 55В 5.1A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 5.1A Сопротивление открытого канала: 57.5 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

2 500 шт

Цена от:

от 38,22₽

IRFL110PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.5А 2.0Вт, 0.54 Ом Производитель: Vishay Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 1.5A Сопротивление открытого канала: 540 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 8.3нКл Входная емкость: 180пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFL110TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.5А 3.1Вт Производитель: Vishay Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 1.5A Сопротивление открытого канала: 540 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 8.3нКл Входная емкость: 180пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFL210TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 960мА, 3.1Вт Производитель: Vishay Корпус: SOT-223 (High Voltage) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 960мА Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 8.2нКл Входная емкость: 140пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFL214PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 790мА Производитель: Vishay Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 790мА Сопротивление открытого канала: 2 Ом Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 8.2нКл Входная емкость: 140пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFL214TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 790мА, 3.1Вт Производитель: Vishay Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 790мА Сопротивление открытого канала: 2 Ом Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 8.2нКл Входная емкость: 140пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFL4105PBF Транзистор полевой N-канальный 55В 3.7А 2.1Вт, 0.045 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 3.7A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 660пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

634 шт

Цена от:

от 32,60₽

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"