Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (859)

STS7PF30L Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 7 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 21 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 7нКл Входная емкость: 2600пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SUD08P06-155L-GE3 Транзистор полевой P-канальный 60В 8.4A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 8.4A Сопротивление открытого канала: 155 мОм Мощность макс.: 1.7Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 450пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

SUD09P10-195-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 8.8A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 8.8A Сопротивление открытого канала: 195 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 34.8нКл Входная емкость: 1055пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SUD19P06-60-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 18.3A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 18.3A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1710пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SUD19P06-60-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 18.3A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 18.3A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1710пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SUD50P04-08-GE3 Транзистор полевой P-канальный 40В 50A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 8.1 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 159нКл Входная емкость: 5380пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SUD50P04-09L-E3 Полевой транзистор, P-канальный, 40 В, 50 А Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 9.4 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 150нКл Входная емкость: 4800пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SUD50P06-15-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 50A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 165нКл Входная емкость: 4950пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SUD50P06-15L-E3 Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 50 А Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 165нКл Входная емкость: 4950пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SUD50P08-25L-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 80В 50A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 25.2 мОм Мощность макс.: 136Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 160нКл Входная емкость: 4700пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SUD50P10-43L-E3 Полевой транзистор, P-канальный, 100 В, 37.1 А Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 37.1A Сопротивление открытого канала: 43 мОм Мощность макс.: 136Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 160нКл Входная емкость: 4600пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SUM110P04-05-E3 Полевой транзистор, P-канальный, 40 В, 110 А Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 110A Сопротивление открытого канала: 5 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 280нКл Входная емкость: 11300пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SUM110P06-07L-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 110A Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 110A Сопротивление открытого канала: 6.9 мОм Мощность макс.: 3.75Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 345нКл Входная емкость: 11400пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SUM110P06-08L-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 110A Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 110A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 3.75Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 240нКл Входная емкость: 9200пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SUM110P08-11L-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 80В 110A Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 110A Сопротивление открытого канала: 11.2 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 270нКл Входная емкость: 10850пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SUM55P06-19L-E3 Транзистор полевой P-канальный 60В 55A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 55A Сопротивление открытого канала: 19 мОм Мощность макс.: 3.75Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 115нКл Входная емкость: 3500пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SUM90P10-19L-E3 Транзистор полевой P-канальный 100В 90A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 90A Сопротивление открытого канала: 19 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 326нКл Входная емкость: 11100пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SUP53P06-20-E3 Транзистор полевой P-канальный 60В 9.2A Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 9.2A Сопротивление открытого канала: 19.5 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 115нКл Входная емкость: 3500пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

SUP90P06-09L-E3 Транзистор полевой P-канальный 60В 90A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 90A Сопротивление открытого канала: 9.3 мОм Мощность макс.: 2.4Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 240нКл Входная емкость: 9200пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

TP0610K-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 185мА Производитель: Vishay Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 185мА Сопротивление открытого канала: 6 Ом Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 1.7нКл Входная емкость: 23пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"