Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3522)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (1580)

FDS8817NZ Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 15 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 2400пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS8840NZ Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 18.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 18.6A Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 144нКл Входная емкость: 7535пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS8842NZ Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 14.9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 14.9A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 73нКл Входная емкость: 3845пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS8870 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 18 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 4.2 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 112нКл Входная емкость: 4615пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDS8880 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 11.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8N Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 11.6A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 1235пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDS8884 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 8.5А 2.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 8.5A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 635пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS8896 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 15 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 6 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 67нКл Входная емкость: 2525пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS9435A Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 5.3А 2.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 5.3A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 528пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDT3612 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 3.7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 3.7A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 632пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDT458P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3.4А 0.13 Ом, 3Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.4A Сопротивление открытого канала: 130 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 3.5нКл Входная емкость: 205пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDT459N Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 6.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6.5A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 365пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDT86102LZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 6.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 6.6A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 1490пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDT86106LZ Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 3.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 3.2A Сопротивление открытого канала: 108 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 7нКл Входная емкость: 315пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDT86113LZ Транзистор полевой N-канальный 100В 3.3A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 3.3A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 6.8нКл Входная емкость: 315пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDT86246 Транзистор полевой N-канальный 150В 2A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 236 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 4нКл Входная емкость: 215пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDV301N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 220мА, 0.35Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 220мА Сопротивление открытого канала: 4 Ом Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.06В Заряд затвора: 0.7нКл Входная емкость: 9.5пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

20 774 шт

Цена от:

от 4,07₽

FDV303N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 680мА, 0.35Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 680мА Сопротивление открытого канала: 450 мОм Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 2.3нКл Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

86 445 шт

Цена от:

от 4,53₽

FDV304P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 25В 460мА, 0.35Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 460мА Сопротивление открытого канала: 1.1 Ом Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 1.5нКл Входная емкость: 63пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDV305N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 0,95А 0.04 Ом, 0.35Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 (SuperSOT-3) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 900мА Сопротивление открытого канала: 220 мОм Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 1.5нКл Входная емкость: 109пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQB30N06LTM Транзистор полевой N-канальный 60В 32A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 32A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 3.75Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 1040пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"