Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (6822)
IRFB4620PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 25A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 25A Сопротивление открытого канала: 72.5 мОм Мощность макс.: 144Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 1710пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
481 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 140,77
IRFB4710PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 75А 200Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 75A Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
50 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 135,32
IRFB52N15DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 51А 320Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 51A Сопротивление открытого канала: 32 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 89нКл Входная емкость: 2770пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
765 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 148,96
IRFB5620PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 25А 144Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 25A Сопротивление открытого канала: 72.5 мОм Мощность макс.: 144Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 1710пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
16 шт

Под заказ:
4 000 шт
Цена от:
от 114,43
IRFB7430PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 195А 375Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 1.3 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 460нКл Входная емкость: 14240пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
285 шт

Под заказ:
1 120 шт
Цена от:
от 137,53
IRFB7434PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 195А 294Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 1.6 мОм Мощность макс.: 294Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 324нКл Входная емкость: 10820пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
307 шт

Под заказ:
4 200 шт
Цена от:
от 103,22
IRFB7437PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 195А 230Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 2 мОм Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 225нКл Входная емкость: 7330пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
1 918 шт

Под заказ:
9 300 шт
Цена от:
от 60,13
IRFB7440PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 2.5 мОм Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 135нКл Входная емкость: 4730пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
721 шт

Под заказ:
7 700 шт
Цена от:
от 43,99
IRFB7446PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120А 99Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 3.3 мОм Мощность макс.: 99Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 93нКл Входная емкость: 3183пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
77 шт

Под заказ:
750 шт
Цена от:
от 52,75
IRFB7530PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 195A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 2 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В Заряд затвора: 411нКл Входная емкость: 13703пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
252 шт

Под заказ:
280 шт
Цена от:
от 162,90
IRFB7534PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 195А 294Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 2.4 мОм Мощность макс.: 294Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В Заряд затвора: 279нКл Входная емкость: 10034пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
632 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 106,03
IRFB7537PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 173A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 173A Сопротивление открытого канала: 3.3 мОм Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В Заряд затвора: 210нКл Входная емкость: 7020пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
226 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 56,25
IRFB7540PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 110A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 110A Сопротивление открытого канала: 5.1 мОм Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 4555пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
118 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 59,47
IRFB7545PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 95A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 95A Сопротивление открытого канала: 5.9 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 4010пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
93 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 61,79
IRFB7734PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 183А 290Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 183A Сопротивление открытого канала: 3.5 мОм Мощность макс.: 290Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В Заряд затвора: 270нКл Входная емкость: 10150пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
200 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 104,61
Акция IRFBA1404PPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 206A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SUPER-220[тм] (TO-273AA) Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 206A(Tc) Сопротивление открытого канала: 3.7 мОм @ 95А, 10В Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 200нКл @ 10В Входная емкость: 7360пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
29 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 127,29
IRFBA1405PPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 174A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SUPER-220[тм] (TO-273AA) Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 174A Сопротивление открытого канала: 5 мОм Мощность макс.: 330Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 260нКл Входная емкость: 5480пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
12 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 621,16
IRFH5015TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 31мОм 54нКл PQFN 5x6мм Производитель: Infineon Technologies Корпус: PQFN 5x6 mm Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 31 мОм Мощность макс.: 3.6Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 2300пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
496 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 92,24
IRFH5020TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 5.1A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PQFN 5x6 mm Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 5.1A Сопротивление открытого канала: 55 мОм Мощность макс.: 3.6Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 54нКл Входная емкость: 2290пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
1 354 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 108,24
IRFH5025TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 3.8A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PQFN 5x6 mm Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 3.8A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 3.6Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 2150пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
6 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 152,65
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"