Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole(1888)
Surface Mount(3523)
Chassis Mount(4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (83)

ZVN2106GTA Транзистор полевой N-канальный 60В 0.71A Aвтомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 710мА Сопротивление открытого канала: 2 Ом Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Входная емкость: 75пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZVN2110GTA Транзистор полевой N-канальный 100В 500мА Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 500мА Сопротивление открытого канала: 4 Ом Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Входная емкость: 75пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZVN2120GTA Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 320 мА Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 320мА Сопротивление открытого канала: 10 Ом Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Входная емкость: 85пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZVN4206GVTA Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 1A Сопротивление открытого канала: 1 Ом Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Входная емкость: 100пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZVN4210GTA Транзистор полевой N-канальный 100В 800мА Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 800мА Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Входная емкость: 100пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZVN4525GTA Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 310 мА Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 310мА Сопротивление открытого канала: 8.5 Ом Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.8В Заряд затвора: 3.65нКл Входная емкость: 72пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZVNL110GTA Транзистор полевой N-канальный 100В 600мА Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 600мА Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Входная емкость: 75пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZVP0545GTA Транзистор полевой P-канальный 450В 0.075A Aвтомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 450В Ток стока макс.: 75мА Сопротивление открытого канала: 150 Ом Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Входная емкость: 120пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZVP2106GTA Транзистор полевой P-канальный 60В 450мА Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 450мА Сопротивление открытого канала: 5 Ом Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Входная емкость: 100пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZVP2110GTA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 310мА Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 310мА Сопротивление открытого канала: 8 Ом Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Входная емкость: 100пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZVP2120GTA Транзистор полевой P-канальный 200В 0.2A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 200мА Сопротивление открытого канала: 25 Ом Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Входная емкость: 100пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZVP4525GTA Полевой транзистор, P-канальный, 250 В, 265 мА Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 265мА Сопротивление открытого канала: 14 Ом Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 3.45нКл Входная емкость: 73пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMN0545G4TA Полевой транзистор, N-канальный, 450 В, 140 мА Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 450В Ток стока макс.: 140мА Сопротивление открытого канала: 50 Ом Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Входная емкость: 70пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMN10A25GTA Транзистор полевой N-канальный 100В 2.9A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 2.9A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 859пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMN6A09GTA Транзистор полевой N-канальный 60В 6.9A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 5.4A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 24.2нКл Входная емкость: 1407пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMN6A11GTA Полевой транзистор N-канальный 60В 3.1A автомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 3.1A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 5.7нКл Входная емкость: 330пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMP10A17GTA Полевой транзистор, P-канальный, 100 В, 1.7 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 1.7A Сопротивление открытого канала: 350 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 10.7нКл Входная емкость: 424пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMP10A18GTA Транзистор полевой P-канальный 100В 3A Aвтомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 2.6A Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 26.9нКл Входная емкость: 1055пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMP4A16GTA Транзистор полевой P-канальный 40В 6.4A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 4.6A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 26.1нКл Входная емкость: 1007пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMP6A13GTA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 1.7A SOT223 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 1.7A(Ta) Сопротивление открытого канала: 390 мОм @ 900mА, 10В Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В @ 250 µA Заряд затвора: 5.9нКл @ 10В Входная емкость: 219пФ @ 30В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"