Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1887)
Surface Mount (3510)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (99)

IRFS3207ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A D2PAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

75В

Ток стока макс.:

120A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

4.1 мОм @ 75А, 10В

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 150 µA

Заряд затвора:

170нКл @ 10В

Входная емкость:

6920пФ @ 50В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFS4310PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 130A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

130A

Сопротивление открытого канала:

7 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

250нКл

Входная емкость:

7670пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS4310TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 130A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

130A

Сопротивление открытого канала:

7 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

250нКл

Входная емкость:

7670пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFSL3206PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A TO-262

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

I2PAK

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

120A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

3 мОм @ 75А, 10В

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 150 µA

Заряд затвора:

170нКл @ 10В

Входная емкость:

6540пФ @ 50В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IXTH10P60 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 600В 10A TO-247AD

Производитель:

IXYS Corporation

Корпус:

TO-247AD

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

10A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

1 Ом @ 5А, 10В

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

5В @ 250 µA

Заряд затвора:

160нКл @ 10В

Входная емкость:

4700пФ @ 25В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IXTP10P50P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 500В 10A TO-220

Производитель:

IXYS Corporation

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

500В

Ток стока макс.:

10A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

1 Ом @ 5А, 10В

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 250 µA

Заряд затвора:

50нКл @ 10В

Входная емкость:

2840пФ @ 25В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IXTP26P20P Транзистор полевой P-канальный 200В 26А 300Вт

Производитель:

Littelfuse

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

26A

Сопротивление открытого канала:

170 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

56нКл

Входная емкость:

2740пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IXTT6N120 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1200В 6A TO-268

Производитель:

IXYS Corporation

Корпус:

TO-268AA

Напряжение исток-сток макс.:

1200В (1.2kВ)

Ток стока макс.:

6A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

2.6 Ом @ 3А, 10В

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

5В @ 250 µA

Заряд затвора:

56нКл @ 10В

Входная емкость:

1950пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

PSMN015-100B,118 Транзистор полевой N-канальный 100В 75A

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

75A

Сопротивление открытого канала:

15 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

90нКл

Входная емкость:

4900пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

PSMN015-100P,127 Транзистор полевой N-канальный 100В 75A

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

75A

Сопротивление открытого канала:

15 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

90нКл

Входная емкость:

4900пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STB100NF04T4 Транзистор полевой N-канальный 40В 120A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

40В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

4.6 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

150нКл

Входная емкость:

5100пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB140NF55T4 Транзистор полевой N-канальный 55В 80A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

80A

Сопротивление открытого канала:

8 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

142нКл

Входная емкость:

5300пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB150NF55T4 Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 120 А

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

6 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

190нКл

Входная емкость:

4400пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB60NF10T4 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 80 А

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

60A

Сопротивление открытого канала:

23 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

104нКл

Входная емкость:

4270пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB75NF75LT4 Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 75 А

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

75В

Ток стока макс.:

75A

Сопротивление открытого канала:

11 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

90нКл

Входная емкость:

4300пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB80NF03L-04T4 MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Производитель:

ST Microelectronics

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

80A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

4 мОм @ 40А, 10В

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В @ 250 µA

Заряд затвора:

110нКл @ 4.5В

Входная емкость:

5500пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB80NF10T4 Транзистор полевой N-канальный 100В 80A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

80A

Сопротивление открытого канала:

15 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

182нКл

Входная емкость:

5500пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB80NF55-06T4 Транзистор полевой N-канальный 55В 80A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

80A

Сопротивление открытого канала:

6.5 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

189нКл

Входная емкость:

4400пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

STB80NF55-08T4 Полевой транзистор, N-канальный, 55 В

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

80A

Сопротивление открытого канала:

8 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

155нКл

Входная емкость:

3850пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB80NF55L-06T4 Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 80 А

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

80A

Сопротивление открытого канала:

6.5 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

136нКл

Входная емкость:

4850пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"