Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (99)

Акция

IRFS4310PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 130A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 130A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 250нКл Входная емкость: 7670пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS4310TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 130A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 130A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 250нКл Входная емкость: 7670пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFSL3206PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A TO-262 Производитель: Infineon Technologies Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A(Tc) Сопротивление открытого канала: 3 мОм @ 75А, 10В Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 150 µA Заряд затвора: 170нКл @ 10В Входная емкость: 6540пФ @ 50В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IXTH10P60 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 600В 10A TO-247AD Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-247AD Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 10A(Tc) Сопротивление открытого канала: 1 Ом @ 5А, 10В Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 160нКл @ 10В Входная емкость: 4700пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IXTP10P50P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 500В 10A TO-220 Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 10A(Tc) Сопротивление открытого канала: 1 Ом @ 5А, 10В Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 50нКл @ 10В Входная емкость: 2840пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IXTP26P20P Транзистор полевой P-канальный 200В 26А 300Вт Производитель: Littelfuse Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 26A Сопротивление открытого канала: 170 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 2740пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IXTT6N120 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1200В 6A TO-268 Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-268AA Напряжение исток-сток макс.: 1200В (1.2kВ) Ток стока макс.: 6A(Tc) Сопротивление открытого канала: 2.6 Ом @ 3А, 10В Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 56нКл @ 10В Входная емкость: 1950пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

PSMN015-100B,118 Транзистор полевой N-канальный 100В 75A Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 90нКл Входная емкость: 4900пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

PSMN015-100P,127 Транзистор полевой N-канальный 100В 75A Производитель: NEXPERIA Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 90нКл Входная емкость: 4900пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STB100NF04T4 Транзистор полевой N-канальный 40В 120A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 4.6 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 150нКл Входная емкость: 5100пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB140NF55T4 Транзистор полевой N-канальный 55В 80A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 142нКл Входная емкость: 5300пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB150NF55T4 Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 120 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 6 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 190нКл Входная емкость: 4400пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB60NF10T4 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 80 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 104нКл Входная емкость: 4270пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB75NF75LT4 Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 75 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 11 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 90нКл Входная емкость: 4300пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB80NF03L-04T4 MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK Производитель: ST Microelectronics Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 80A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4 мОм @ 40А, 10В Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В @ 250 µA Заряд затвора: 110нКл @ 4.5В Входная емкость: 5500пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB80NF10T4 Транзистор полевой N-канальный 100В 80A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 182нКл Входная емкость: 5500пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB80NF55-06T4 Транзистор полевой N-канальный 55В 80A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 6.5 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 189нКл Входная емкость: 4400пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

STB80NF55-08T4 Полевой транзистор, N-канальный, 55 В Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 155нКл Входная емкость: 3850пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB80NF55L-06T4 Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 80 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 6.5 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 136нКл Входная емкость: 4850пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

STB80PF55T4 Полевой транзистор, P-канальный, 55 В Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 258нКл Входная емкость: 5500пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"