Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (484)
STP21N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 17А 125Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 1950пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
793 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 91,66
STP21N90K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 18.5A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 18.5A Сопротивление открытого канала: 299 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 43нКл Входная емкость: 1645пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
112 шт

Под заказ:
350 шт
Цена от:
от 373,05
STP3N150 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1500В 140Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 1500В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 9 Ом Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 29.3нКл Входная емкость: 939пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
0 шт

Под заказ:
2 шт
Цена от:
от 1 098,17
STP4N150 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1500В 4А 160Вт, 5 Ом Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 1500В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 7 Ом Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
65 шт

Под заказ:
8 шт
Цена от:
от 317,85
STP4N80K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 3А 60Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 2.5 Ом Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 10.5нКл Входная емкость: 175пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
249 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 168,50
Акция STW13N95K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 950В 10А 190Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 950В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 850 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 51нКл Входная емкость: 1620пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
27 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 262,10
STW20NM60 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20А 214Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 290 мОм Мощность макс.: 192Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 54нКл Входная емкость: 1500пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
277 шт

Под заказ:
10 шт
Аналоги:
90 шт
Цена от:
от 279,13
STW21N90K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 18.5А 250Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 18.5A Сопротивление открытого канала: 299 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 43нКл Входная емкость: 1645пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
178 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 584,97
STW45NM50 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 45А 417Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 45A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 417Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 117нКл Входная емкость: 3700пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
1 шт

Под заказ:
656 шт
Цена от:
от 826,03
STW77N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 69А 400Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 69A Сопротивление открытого канала: 38 мОм Мощность макс.: 400Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 200нКл Входная емкость: 9800пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
0 шт

Под заказ:
150 шт
Цена от:
от 764,36
STW9N150 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1500В 8А 320Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 1500В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 2.5 Ом Мощность макс.: 320Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 89.3нКл Входная емкость: 3255пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
63 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 365,23
Акция STY112N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 710В 93А 0.022 Ом, 190Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: MAX247 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 96A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 625Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 350нКл Входная емкость: 16870пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
28 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 1 501,63
STY60NM60 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 60А 560Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: MAX247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 55 мОм Мощность макс.: 560Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 266нКл Входная емкость: 7300пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
1 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 1 031,92
TK20J60U Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20А 190Вт (рекомендуемая замена: TK16J60W, TK16N60W) Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 27нКл Входная емкость: 1470пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
89 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 203,00
3N163 Полевой транзистор, P-канальный, 40 В, 50 мА Производитель: Vishay Корпус: TO-72 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 50мА Сопротивление открытого канала: 250 Ом Мощность макс.: 375мВт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Входная емкость: 3.5пФ Тип монтажа: Through Hole
AUIRF7647S2TR Полевой транзистор N-канальный 100В 5.9A автомобильного применения 7-Pin Direct-FET SC лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] SC Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 5.9A Сопротивление открытого канала: 31 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 21нКл Входная емкость: 910пФ Тип монтажа: Surface Mount
AUIRFR4292 Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 9.3 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 9.3A Сопротивление открытого канала: 345 мОм Мощность макс.: 100Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 705пФ Тип монтажа: Surface Mount
AUIRFR4620 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 24 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 24A Сопротивление открытого канала: 78 мОм Мощность макс.: 144Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 1710пФ Тип монтажа: Surface Mount
FCA20N60_F109 Транзистор полевой N-канальный 600В 20A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 98нКл Входная емкость: 3080пФ Тип монтажа: Through Hole
FCA47N60F Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 47 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 47A Сопротивление открытого канала: 73 мОм Мощность макс.: 417Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 270нКл Входная емкость: 8000пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"