Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Chassis Mount (4)
Through Hole (1888)
Surface Mount (3512)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (112)

FDN336P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1.3A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

3-SSOT

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

1.3A

Сопротивление открытого канала:

200 мОм

Мощность макс.:

460мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

5нКл

Входная емкость:

330пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDN338P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1.6А 0.5Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23 (SuperSOT-3)

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

1.6A

Сопротивление открытого канала:

115 мОм

Мощность макс.:

460мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

6.2нКл

Входная емкость:

451пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

6 180 шт

Цена от:

от 2,46₽

FDN339AN Транзистор полевой N-канальный 20В 3А 0.5Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT23-3

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

35 мОм

Мощность макс.:

460мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

10нКл

Входная емкость:

700пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDN340P Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 2 А, 0,5 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT23-3

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

70 мОм

Мощность макс.:

460мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

10нКл

Входная емкость:

779пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDN342P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

3-SSOT

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

80 мОм

Мощность макс.:

460мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

9нКл

Входная емкость:

635пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS4465 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 13.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

13.5A

Сопротивление открытого канала:

8.5 мОм

Мощность макс.:

1.2Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 1.8V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

120нКл

Входная емкость:

8237пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS6375 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 8A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

24 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

36нКл

Входная емкость:

2694пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS6570A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 15A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

15A

Сопротивление открытого канала:

7.5 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

66нКл

Входная емкость:

4700пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS6574A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 16A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

16A

Сопротивление открытого канала:

6 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

105нКл

Входная емкость:

7657пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS6575 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 10A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

13 мОм

Мощность макс.:

1.2Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

74нКл

Входная емкость:

4951пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS6576 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 11A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

14 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

60нКл

Входная емкость:

4044пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDV302P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 25В 120мА, 0.35Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23

Напряжение исток-сток макс.:

25В

Ток стока макс.:

120мА

Сопротивление открытого канала:

10 Ом

Мощность макс.:

350мВт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

0.31нКл

Входная емкость:

11пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDV303N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 680мА, 0.35Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23

Напряжение исток-сток макс.:

25В

Ток стока макс.:

680мА

Сопротивление открытого канала:

450 мОм

Мощность макс.:

350мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

2.3нКл

Входная емкость:

50пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

68 450 шт

Цена от:

от 3,12₽

FDV304P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 25В 460мА, 0.35Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23

Напряжение исток-сток макс.:

25В

Ток стока макс.:

460мА

Сопротивление открытого канала:

1.1 Ом

Мощность макс.:

350мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

1.5нКл

Входная емкость:

63пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDV305N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 0,95А 0.04 Ом, 0.35Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23 (SuperSOT-3)

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

900мА

Сопротивление открытого канала:

220 мОм

Мощность макс.:

350мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

1.5нКл

Входная емкость:

109пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDY100PZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 350мА

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SC-89

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

350мА

Сопротивление открытого канала:

1.2 Ом

Мощность макс.:

446мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

1.4нКл

Входная емкость:

100пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDY101PZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 150мА

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SC-89

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

150мА

Сопротивление открытого канала:

8 Ом

Мощность макс.:

446мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

1.4нКл

Входная емкость:

100пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDY301NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 0.2А 5 Ом

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SC-89

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

200мА

Сопротивление открытого канала:

5 Ом

Мощность макс.:

446мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

1.1нКл

Входная емкость:

60пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDY302NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SC-89

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

600мА

Сопротивление открытого канала:

300 мОм

Мощность макс.:

446мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

1.1нКл

Входная емкость:

60пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NDS8425 Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 7.4 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

7.4A

Сопротивление открытого канала:

22 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

1098пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"