Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)
Through Hole (1890)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (94)

IRF640NLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18A TO-262 Производитель: Infineon Technologies Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 18A(Tc) Сопротивление открытого канала: 150 мОм @ 11А, 10В Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 67нКл @ 10В Входная емкость: 1160пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF640NSTRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 18A(Tc) Сопротивление открытого канала: 150 мОм @ 11А, 10В Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 67нКл @ 10В Входная емкость: 1160пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

34 619 шт

Цена от:

от 39,06₽

IRF9540NLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 23A TO262-3 Производитель: Infineon Technologies Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 23A(Tc) Сопротивление открытого канала: 117 мОм @ 14А, 10В Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 110нКл @ 10В Входная емкость: 1450пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFB3006GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 195A TO220AB Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 195A(Tc) Сопротивление открытого канала: 2.5 мОм @ 170А, 10В Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 300нКл @ 10В Входная емкость: 8970пФ @ 50В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFB4110GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 120A TO220AB Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 120A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм @ 75А, 10В Мощность макс.: 370Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 210нКл @ 10В Входная емкость: 9620пФ @ 50В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFI4110GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 72A TO220AB Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 72A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм @ 43А, 10В Мощность макс.: 61Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 290нКл @ 10В Входная емкость: 9540пФ @ 50В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFP254PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 23A TO-247AC Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 23A(Tc) Сопротивление открытого канала: 140 мОм @ 14А, 10В Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 140нКл @ 10В Входная емкость: 2700пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFR2407TRLPBF Полевой транзистор N-канальный 75В 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: D-Pak Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 42A(Tc) Сопротивление открытого канала: 26 мОм @ 25А, 10В Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 110нКл @ 10В Входная емкость: 2400пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR3303TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 33A DPAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D-Pak Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 33A(Tc) Сопротивление открытого канала: 31 мОм @ 18А, 10В Мощность макс.: 57Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 29нКл @ 10В Входная емкость: 750пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR3710ZTRLPBF Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 42 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D-Pak Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 42A(Tc) Сопротивление открытого канала: 18 мОм @ 33А, 10В Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 100нКл @ 10В Входная емкость: 2930пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR3910TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 16A DPAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 16A(Tc) Сопротивление открытого канала: 115 мОм @ 10А, 10В Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 44нКл @ 10В Входная емкость: 640пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

5 310 шт

Цена от:

от 16,72₽

IRFR4104TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 42A DPAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D-Pak Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 42A(Tc) Сопротивление открытого канала: 5.5 мОм @ 42А, 10В Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 89нКл @ 10В Входная емкость: 2950пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR4104TRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 42A DPAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D-Pak Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 42A(Tc) Сопротивление открытого канала: 5.5 мОм @ 42А, 10В Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 89нКл @ 10В Входная емкость: 2950пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR6215TRRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 13A DPAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D-Pak Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 13A(Tc) Сопротивление открытого канала: 295 мОм @ 6.6А, 10В Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 66нКл @ 10В Входная емкость: 860пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS4010TRL7PP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 190A D2PAK-7 Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 190A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4 мОм @ 110А, 10В Мощность макс.: 380Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 230нКл @ 10В Входная емкость: 9830пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFU1205PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 44A I-PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: I-Pak Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 44A(Tc) Сопротивление открытого канала: 27 мОм @ 26А, 10В Мощность макс.: 107Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 65нКл @ 10В Входная емкость: 1300пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFU2405PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 56A I-PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: I-Pak Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 56A(Tc) Сопротивление открытого канала: 16 мОм @ 34А, 10В Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 110нКл @ 10В Входная емкость: 2430пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFU6215PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 13A I-PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: I-Pak Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 13A(Tc) Сопротивление открытого канала: 295 мОм @ 6.6А, 10В Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 66нКл @ 10В Входная емкость: 860пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFZ34NSTRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 29A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 29A(Tc) Сопротивление открытого канала: 40 мОм @ 16А, 10В Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 34нКл @ 10В Входная емкость: 700пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFZ44VZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 57A TO-220AB Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 57A(Tc) Сопротивление открытого канала: 12 мОм @ 34А, 10В Мощность макс.: 92Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 65нКл @ 10В Входная емкость: 1690пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"