Одиночные MOSFET транзисторы

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Through Hole(1889)
Surface Mount(3522)
Chassis Mount(4)

Умный фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (226)

BUK7628-100A,118 Транзистор полевой N-канальный 100В 47A Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 47A(Tc) Сопротивление открытого канала: 28 мОм @ 25А, 10В Мощность макс.: 166Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 1mA Входная емкость: 3100пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK7635-55A,118 Транзистор полевой N-канальный 55В 35A D2PAK Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 35A(Tc) Сопротивление открытого канала: 35 мОм @ 20А, 10В Мощность макс.: 85Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 1mA Входная емкость: 872пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK763R8-80E,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 120A D2PAK Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 120A(Tc) Сопротивление открытого канала: 3.8 мОм @ 25А, 10В Мощность макс.: 357Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 1mA Заряд затвора: 169нКл @ 10В Входная емкость: 12030пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK7E4R6-60E,127 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 100A I2PAK Производитель: NEXPERIA Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 100A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4.6 мОм @ 25А, 10В Мощность макс.: 234Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 1mA Заряд затвора: 82нКл @ 10В Входная емкость: 6230пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

BUK7K134-100EX Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В LFPAK Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK56 Напряжение исток-сток макс.: 100В Тип транзистора: N-канальный Особенности: Standard Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK7Y3R5-40E,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В LFPAK Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK56 Напряжение исток-сток макс.: 40В Тип транзистора: N-канальный Особенности: Standard Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK7Y59-60EX Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 17A LFPAK Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK56 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 17A(Tc) Сопротивление открытого канала: 59 мОм @ 5А, 10В Мощность макс.: 37Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 1mA Заряд затвора: 7.8нКл @ 10В Входная емкость: 494пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK9K13-60EX Транзистор полевой N-канальный 60В 56LFPAK Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK56D Напряжение исток-сток макс.: 60В Тип транзистора: N-канальный Особенности: Standard Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK9Y59-60E,115 Полевой транзистор N-канальный 60В LFPAK Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK56 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 16.7A(Tc) Сопротивление открытого канала: 52 мОм @ 5А, 10В Мощность макс.: 37Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В @ 1mA Заряд затвора: 6.1нКл @ 5В Входная емкость: 715пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK9Y72-80E,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В LFPAK Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK56 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 15A(Tc) Сопротивление открытого канала: 72 мОм @ 5А, 10В Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В @ 1mA Заряд затвора: 7.9нКл @ 5В Входная емкость: 898пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD17308Q3T Транзистор полевой N-канальный 30В VSON 8 Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 13A(Ta),47A(Tc) Сопротивление открытого канала: 10.3 мОм @ 10А, 8В Мощность макс.: 2.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 1.8В @ 250 µA Заряд затвора: 5.1нКл @ 4.5В Входная емкость: 700пФ @ 15В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FCA36N60NF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 34.9A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 34.9A(Tc) Сопротивление открытого канала: 95 мОм @ 18А, 10В Мощность макс.: 312Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 112нКл @ 10В Входная емкость: 4245пФ @ 100В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FCD5N60TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4.6A DPAK Производитель: ON Semiconductor Корпус: D-Pak Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 4.6A(Tc) Сопротивление открытого канала: 950 мОм @ 2.3А, 10В Мощность макс.: 54Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 16нКл @ 10В Входная емкость: 600пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FCH104N60F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 37A TO-247 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 37A(Tc) Сопротивление открытого канала: 104 мОм @ 18.5А, 10В Мощность макс.: 357Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 139нКл @ 10В Входная емкость: 5950пФ @ 100В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

FCH35N60 Транзистор полевой N-канальный 600В 35A TO-247 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247-3 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 35A(Tc) Сопротивление открытого канала: 98 мОм @ 17.5А, 10В Мощность макс.: 312.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 181нКл @ 10В Входная емкость: 6640пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FCMT299N60 MOSFET N-CH 650V 12A POWER88 Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power88 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 12A(Ta) Сопротивление открытого канала: 299 мОм @ 6А, 10В Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В @ 250 µA Заряд затвора: 51нКл @ 10В Входная емкость: 1948пФ @ 380В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FCP104N60 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 37A TO-220 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 37A(Tc) Сопротивление открытого канала: 104 мОм @ 18.5А, 10В Мощность макс.: 357Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В @ 250 µA Заряд затвора: 82нКл @ 10В Входная емкость: 4165пФ @ 380В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FCP104N60F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В TO-220 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 37A(Tc) Сопротивление открытого канала: 104 мОм @ 18.5А, 10В Мощность макс.: 357Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 145нКл @ 10В Входная емкость: 6130пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDA032N08 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A TO-3P Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 120A(Tc) Сопротивление открытого канала: 3.2 мОм @ 75А, 10В Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В @ 250 µA Заряд затвора: 220нКл @ 10В Входная емкость: 15160пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDA24N50F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 24A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P(N) Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 24A(Tc) Сопротивление открытого канала: 200 мОм @ 12А, 10В Мощность макс.: 270Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 85нКл @ 10В Входная емкость: 4310пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.71 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"