Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (103)

NTD2955-1G Транзистор полевой P-канальный 60В 12A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 55Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 750пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

NTD2955T4G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 12А 55Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 55Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 750пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD3055-094T4G Транзистор полевой N-канальный 60В 12А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 94 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 450пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD3055L104-1G Транзистор полевой N-канальный 60В 12A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 104 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 440пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

NTD3055L104T4G Транзистор полевой N-канальный 60В 12A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 104 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 440пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NVD2955T4G Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 12 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 55Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 750пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

RFP12N10L Транзистор полевой N-канальный 100В 12A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Входная емкость: 900пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

SI4178DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 12A Производитель: Vishay Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 21 мОм Мощность макс.: 5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 405пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4874BDY-T1-E3 Транзистор полевой N-канальный 30В 12A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 3230пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI5429DU-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 30В 12A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® ChipFet Dual Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 31Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 2320пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI5476DU-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 60В 12A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® ChipFet Single Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 34 мОм Мощность макс.: 31Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 1100пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIA413DJ-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 12 В, 12 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SC-70-6 Single Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 29 мОм Мощность макс.: 19Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 57нКл Входная емкость: 1800пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIA421DJ-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 30В 12A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SC-70-6 Single Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 19Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 950пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIA427ADJ-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 8 В, 12 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SC-70-6 Single Напряжение исток-сток макс.: 8В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 19Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 800mВ Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 2300пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIA429DJT-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 12 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SC-70-6 Single Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 20.5 мОм Мощность макс.: 19Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 62нКл Входная емкость: 1750пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIA433EDJ-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 12 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SC-70-6 Single Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 19Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В Заряд затвора: 75нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIA436DJ-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 8 В, 12 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SC-70-6 Single Напряжение исток-сток макс.: 8В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 9.4 мОм Мощность макс.: 19Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.2V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 800mВ Заряд затвора: 25.2нКл Входная емкость: 1508пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIA440DJ-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 40В 12A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SC-70-6 Single Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 26 мОм Мощность макс.: 19Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.4В Заряд затвора: 21.5нКл Входная емкость: 700пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIA441DJ-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 40В 12A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SC-70-6 Single Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 47 мОм Мощность макс.: 19Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 890пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIA445EDJ-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 12 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SC-70-6 Single Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 16.5 мОм Мощность макс.: 19Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В Заряд затвора: 72нКл Входная емкость: 2130пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"