Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (96)
FQP2N90 Транзистор полевой N-канальный 900В 2.2A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 2.2A Сопротивление открытого канала: 7.2 Ом Мощность макс.: 85Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 500пФ Тип монтажа: Through Hole
FQP4N90C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 4A 140Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 4.2 Ом Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 960пФ Тип монтажа: Through Hole
FQP6N90C Транзистор полевой N-канальный 900В 6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 2.3 Ом Мощность макс.: 167Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1770пФ Тип монтажа: Through Hole
FQP8N90C Полевой транзистор, N-канальный, 900 В, 6.3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 6.3A Сопротивление открытого канала: 1.9 Ом Мощность макс.: 171Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 2080пФ Тип монтажа: Through Hole
FQP9N90C Транзистор полевой N-канальный 900В 8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом Мощность макс.: 205Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 58нКл Входная емкость: 2730пФ Тип монтажа: Through Hole
FQPF4N90C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 4А 47Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 4.2 Ом Мощность макс.: 47Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 960пФ Тип монтажа: Through Hole
FQPF5N90 Полевой транзистор, N-канальный, 900 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 2.3 Ом Мощность макс.: 51Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1550пФ Тип монтажа: Through Hole
FQPF6N90C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 6А 56Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 2.3 Ом Мощность макс.: 56Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1770пФ Тип монтажа: Through Hole
FQPF8N90C Полевой транзистор, N-канальный, 900 В, 6.3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 6.3A Сопротивление открытого канала: 1.9 Ом Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 2080пФ Тип монтажа: Through Hole
FQPF9N90CT Полевой транзистор, N-канальный, 900 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом Мощность макс.: 68Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 58нКл Входная емкость: 2730пФ Тип монтажа: Through Hole
IPA90R1K0C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 5.7А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
IPA90R1K2C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 5.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 5.1А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
IPA90R340C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 15А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
IPA90R800C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 6.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 6.9А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
IPI90R340C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 15A 3-Pin(3+Tab) TO-262 туба Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 15А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
IPP90R1K0C3XKSA1 Транзистор полевой N-канальный 900В 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба, CoolMOS Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 5.7A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Through Hole
IPP90R1K2C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 5.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 5.1А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
IPP90R800C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 6.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 6.9А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
IPW90R500C3FKSA1 Полевой транзистор N-канальный 900В 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 500 мОм Мощность макс.: 156Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 68нКл Входная емкость: 1700пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFBF20LPBF Полевой транзистор, N-канальный, 900 В, 1.7 А Производитель: Vishay Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 1.7A Сопротивление открытого канала: 8 Ом Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 490пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"