Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (264)
BSC220N20NSFDATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 52A 8-Pin TSON EP лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 52А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
BSC320N20NS3G Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 36А Сопротивление открытого канала: 32мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
BSC350N20NSFDATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 35A 8-Pin TDSON EP лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: TDSON-8/ SuperSO8 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 35А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
BSP122,115 Транзистор полевой N-канальный 200В 0.55A Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 550мА Сопротивление открытого канала: 2.5 Ом Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Входная емкость: 100пФ Тип монтажа: Surface Mount
BSP149H6906 Транзистор полевой N-канальный 200В 0.66A Aвтомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 0.66A Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Тип монтажа: Surface Mount
BSP220,115 Транзистор полевой P-канальный 200В 225мА Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 225мА Сопротивление открытого канала: 12 Ом Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Входная емкость: 90пФ Тип монтажа: Surface Mount
BSZ12DN20NS3GATMA1 Полевой транзистор N-канальный 200В 11.3A 8-Pin TSDSON EP лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 11.3A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.7нКл Входная емкость: 680пФ Тип монтажа: Surface Mount
BSZ22DN20NS3GATMA1 Полевой транзистор N-канальный 200В 7A 8-Pin TSDSON EP лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 7A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount
BSZ900N20NS3G Полевой транзистор N-канальный 200В 15.2A 8-Pin TSDSON EP лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 5.2A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount
BUZ30AH3045AATMA1 Транзистор полевой N-канальный 200В 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 21A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount
BUZ30AHXKSA1 Транзистор полевой N-канальный 200В 21A серия OPTIMOS TO220 Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 21A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Through Hole
FDA70N20 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 70 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 70A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 417Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 86нКл Входная емкость: 3970пФ Тип монтажа: Through Hole
FDB52N20TM Транзистор полевой N-канальный 200В 52A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 52A Сопротивление открытого канала: 49 мОм Мощность макс.: 357Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 2900пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDC2612 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 1.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 1.1A Сопротивление открытого канала: 725 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 234пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDD2670 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 3.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 3.6A Сопротивление открытого канала: 130 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 43нКл Входная емкость: 1228пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDD7N20TM Транзистор полевой N-канальный 200В 5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 690 мОм Мощность макс.: 43Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 6.7нКл Входная емкость: 250пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDMC2610 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 2.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 2.2A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 960пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDMS2672 Транзистор полевой N-канальный 200В 3.7A Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 3.7A Сопротивление открытого канала: 77 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 2315пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция FDP18N20F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18A TO-220 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 18A(Tc) Сопротивление открытого канала: 145 мОм @ 9А, 10В Мощность макс.: 100Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 26нКл @ 10В Входная емкость: 1180пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
FDP52N20 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 52А 357Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 52A Сопротивление открытого канала: 49 мОм Мощность макс.: 357Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 2900пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.71 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"