Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
AUIRFR4620
Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 24 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 24A
Сопротивление открытого канала: 78 мОм
Мощность макс.: 144Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 38нКл
Входная емкость: 1710пФ
Тип монтажа: Surface Mount
AUIRFR4620TRL
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 24A DPAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 24A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 78 мОм @ 15А, 10В
Мощность макс.: 144Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 100 µA
Заряд затвора: 38нКл @ 10В
Входная емкость: 1710пФ @ 50В
Тип монтажа: Surface Mount
BS108ZL1G
Транзистор полевой N-канальный 200В 0.25А 0.35Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO92/formed lead
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 250мА
Сопротивление открытого канала: 8 Ом
Мощность макс.: 350мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В
Входная емкость: 150пФ
Тип монтажа: Through Hole
BSC220N20NSFDATMA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 52A 8-Pin TSON EP лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 52А
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Surface Mount
BSP122,115
Транзистор полевой N-канальный 200В 0.55A
Производитель: NEXPERIA
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 550мА
Сопротивление открытого канала: 2.5 Ом
Мощность макс.: 1.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Входная емкость: 100пФ
Тип монтажа: Surface Mount
BSP149H6906
Транзистор полевой N-канальный 200В 0.66A Aвтомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 0.66A
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive
Тип монтажа: Surface Mount
BSP220,115
Транзистор полевой P-канальный 200В 225мА
Производитель: NEXPERIA
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 225мА
Сопротивление открытого канала: 12 Ом
Мощность макс.: 1.5Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В
Входная емкость: 90пФ
Тип монтажа: Surface Mount
BSZ12DN20NS3GATMA1
Полевой транзистор N-канальный 200В 11.3A 8-Pin TSDSON EP лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: Power33
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 11.3A
Сопротивление открытого канала: 125 мОм
Мощность макс.: 50Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 8.7нКл
Входная емкость: 680пФ
Тип монтажа: Surface Mount
BSZ22DN20NS3GATMA1
Полевой транзистор N-канальный 200В 7A 8-Pin TSDSON EP лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: Power33
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 7A
Тип транзистора: N-канал
Тип монтажа: Surface Mount
BSZ900N20NS3G
Полевой транзистор N-канальный 200В 15.2A 8-Pin TSDSON EP лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: Power33
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 5.2A
Тип транзистора: N-канал
Тип монтажа: Surface Mount
FDA70N20
Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 70 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-3P
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 70A
Сопротивление открытого канала: 35 мОм
Мощность макс.: 417Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 86нКл
Входная емкость: 3970пФ
Тип монтажа: Through Hole
FDB52N20TM
Транзистор полевой N-канальный 200В 52A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 52A
Сопротивление открытого канала: 49 мОм
Мощность макс.: 357Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 63нКл
Входная емкость: 2900пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDC2612
Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 1.1 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SSOT6
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 1.1A
Сопротивление открытого канала: 725 мОм
Мощность макс.: 800мВт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 11нКл
Входная емкость: 234пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDD2670
Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 3.6 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 3.6A
Сопротивление открытого канала: 130 мОм
Мощность макс.: 1.3Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 43нКл
Входная емкость: 1228пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDD7N20TM
Транзистор полевой N-канальный 200В 5A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 5A
Сопротивление открытого канала: 690 мОм
Мощность макс.: 43Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 6.7нКл
Входная емкость: 250пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDMC2610
Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 2.2 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: Power33
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 2.2A
Сопротивление открытого канала: 200 мОм
Мощность макс.: 2.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 18нКл
Входная емкость: 960пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDMS2672
Транзистор полевой N-канальный 200В 3.7A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: Power56
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 3.7A
Сопротивление открытого канала: 77 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 42нКл
Входная емкость: 2315пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDP18N20F
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18A TO-220
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 18A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 145 мОм @ 9А, 10В
Мощность макс.: 100Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA
Заряд затвора: 26нКл @ 10В
Входная емкость: 1180пФ @ 25В
Тип монтажа: Through Hole
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.