Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (254)
AUIRFR4620 AUIRFR4620 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 24 А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
24A
Сопротивление открытого канала:
78 мОм
Мощность макс.:
144Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
1710пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRFR4620TRL AUIRFR4620TRL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 24A DPAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
24A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
78 мОм @ 15А, 10В
Мощность макс.:
144Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 100 µA
Заряд затвора:
38нКл @ 10В
Входная емкость:
1710пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount
BS108ZL1G BS108ZL1G Транзистор полевой N-канальный 200В 0.25А 0.35Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92/formed lead
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
250мА
Сопротивление открытого канала:
8 Ом
Мощность макс.:
350мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Входная емкость:
150пФ
Тип монтажа:
Through Hole
BSC220N20NSFDATMA1 BSC220N20NSFDATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 52A 8-Pin TSON EP лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
52А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
BSC320N20NS3G
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
36А
Сопротивление открытого канала:
32мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
BSP122,115 BSP122,115 Транзистор полевой N-канальный 200В 0.55A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-223
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
550мА
Сопротивление открытого канала:
2.5 Ом
Мощность макс.:
1.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Входная емкость:
100пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BSP149H6906 BSP149H6906 Транзистор полевой N-канальный 200В 0.66A Aвтомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-223
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
0.66A
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Тип монтажа:
Surface Mount
BSP220,115 BSP220,115 Транзистор полевой P-канальный 200В 225мА
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-223
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
225мА
Сопротивление открытого канала:
12 Ом
Мощность макс.:
1.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В
Входная емкость:
90пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BSZ12DN20NS3GATMA1 BSZ12DN20NS3GATMA1 Полевой транзистор N-канальный 200В 11.3A 8-Pin TSDSON EP лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Power33
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
11.3A
Сопротивление открытого канала:
125 мОм
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.7нКл
Входная емкость:
680пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BSZ22DN20NS3GATMA1 BSZ22DN20NS3GATMA1 Полевой транзистор N-канальный 200В 7A 8-Pin TSDSON EP лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Power33
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
7A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
BSZ900N20NS3G BSZ900N20NS3G Полевой транзистор N-канальный 200В 15.2A 8-Pin TSDSON EP лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Power33
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
5.2A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
BUZ30AHXKSA1 Транзистор полевой N-канальный 200В 21A серия OPTIMOS TO220
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
21A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Through Hole
FDA70N20 FDA70N20 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 70 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
70A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
417Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
86нКл
Входная емкость:
3970пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDB52N20TM FDB52N20TM Транзистор полевой N-канальный 200В 52A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
52A
Сопротивление открытого канала:
49 мОм
Мощность макс.:
357Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
63нКл
Входная емкость:
2900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDC2612 FDC2612 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 1.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
1.1A
Сопротивление открытого канала:
725 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
234пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD2670 FDD2670 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 3.6 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
3.6A
Сопротивление открытого канала:
130 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
43нКл
Входная емкость:
1228пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD7N20TM FDD7N20TM Транзистор полевой N-канальный 200В 5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
690 мОм
Мощность макс.:
43Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
6.7нКл
Входная емкость:
250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMC2610 FDMC2610 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 2.2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power33
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
2.2A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
2.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
960пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS2672 FDMS2672 Транзистор полевой N-канальный 200В 3.7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
3.7A
Сопротивление открытого канала:
77 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
42нКл
Входная емкость:
2315пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
FDP18N20F FDP18N20F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18A TO-220
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
18A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
145 мОм @ 9А, 10В
Мощность макс.:
100Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
26нКл @ 10В
Входная емкость:
1180пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"