Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
2SK2765
Транзистор полевой N-канальный 800В 7А 125Вт
Производитель: Fujitsu Microelectronics
Корпус: TO-3P
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 7A
Мощность макс.: 125Вт
Тип транзистора: N-канал
2SK3264
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 7А 60Вт
Производитель: Fujitsu Microelectronics
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 7A
Мощность макс.: 60Вт
Тип транзистора: N-канал
2SK3530
Полевой транзистор, N-канальный, 800В 7А 70Вт
Производитель: FUJI Electric
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 7A
Мощность макс.: 70Вт
Тип транзистора: N-канал
8N80
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 8A 59Вт
Производитель: Hottech Co. Ltd
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 8А
Сопротивление открытого канала: 1.45Ом
Мощность макс.: 59Вт
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Through Hole
BSP300H6327XUSA1
Транзистор полевой N-канальный 800В 0.19A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 0.19A
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive
FCH060N80-F155
Производитель: ON Semiconductor
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 56А
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Through Hole
FCPF400N80Z
Транзистор полевой N-канальный 800В 11A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 11A
Сопротивление открытого канала: 400 мОм
Мощность макс.: 35.7Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 56нКл
Входная емкость: 2350пФ
Тип монтажа: Through Hole
FCPF850N80Z
Полевой транзистор N-канальный 800В 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 6A
Сопротивление открытого канала: 850 мОм
Мощность макс.: 28.4Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 29нКл
Входная емкость: 1315пФ
Тип монтажа: Through Hole
FQA10N80C_F109
Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 10 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-3P
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 10A
Сопротивление открытого канала: 1.1 Ом
Мощность макс.: 240Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 58нКл
Входная емкость: 2800пФ
Тип монтажа: Through Hole
FQA13N80_F109
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 12.6A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-3P(N)
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 12.6A
Сопротивление открытого канала: 750 мОм
Мощность макс.: 300Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 88нКл
Входная емкость: 3500пФ
Тип монтажа: Through Hole
FQA7N80C_F109
Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 7 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-3P
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 7A
Сопротивление открытого канала: 1.9 Ом
Мощность макс.: 198Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 35нКл
Входная емкость: 1680пФ
Тип монтажа: Through Hole
FQAF13N80
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 8А 120Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-3PF
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 8A
Сопротивление открытого канала: 750 мОм
Мощность макс.: 120Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 88нКл
Входная емкость: 3500пФ
Тип монтажа: Through Hole
FQB4N80TM
Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 3.9 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 3.9A
Сопротивление открытого канала: 3.6 Ом
Мощность макс.: 3.13Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 25нКл
Входная емкость: 880пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FQB6N80TM
Транзистор полевой N-канальный 800В 5.8A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 5.8A
Сопротивление открытого канала: 1.95 Ом
Мощность макс.: 3.13Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 31нКл
Входная емкость: 1500пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FQD1N80TM
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 1А 20 Ом, 45Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 1A
Сопротивление открытого канала: 20 Ом
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 7.2нКл
Входная емкость: 195пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FQD2N80TM
Транзистор полевой N-канальный 800В 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 1.8A
Сопротивление открытого канала: 6.3 Ом
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 15нКл
Входная емкость: 550пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FQI4N80TU
Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 3.9 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: I2PAK
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 3.9A
Сопротивление открытого канала: 3.6 Ом
Мощность макс.: 3.13Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 25нКл
Входная емкость: 880пФ
Тип монтажа: Through Hole
FQP3N80C
Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 3 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 3A
Сопротивление открытого канала: 4.8 Ом
Мощность макс.: 107Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 16.5нКл
Входная емкость: 705пФ
Тип монтажа: Through Hole
FQP4N80
Транзистор полевой N-канальный 800В 3.9A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 3.9A
Сопротивление открытого канала: 3.6 Ом
Мощность макс.: 130Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 25нКл
Входная емкость: 880пФ
Тип монтажа: Through Hole
FQP6N80C
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 5.5А 2.5 Ом, 158Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 5.5A
Сопротивление открытого канала: 2.5 Ом
Мощность макс.: 158Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 30нКл
Входная емкость: 1310пФ
Тип монтажа: Through Hole
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.