Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (124)
FDP16AN08A0 Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 58 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 135Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 1857пФ Тип монтажа: Through Hole
FDP75N08A Транзистор полевой N-канальный 75В 75A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 11 мОм Мощность макс.: 137Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 104нКл Входная емкость: 4468пФ Тип монтажа: Through Hole
IPB020NE7N3GATMA1 Транзистор полевой N-канальный 75В 120A Aвтомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 120A Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Тип монтажа: Surface Mount
IPB049NE7N3GATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 80A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 80А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
IPB80N08S2L07ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 80A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 80А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
IPD30N08S2L21ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 30A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 30А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
IPP034NE7N3GXKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 100A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 100А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
IPP052NE7N3GXKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 80A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 80А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
IPP100N08S207AKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 100A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220AB туба Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 100А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
IPP80N08S207AKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 80A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220AB туба Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 80А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
IPP80N08S2L07AKSA1 Транзистор полевой N-канальный 75В 80A Aвтомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220AB туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 80A Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Тип монтажа: Through Hole
IRF1407STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 100A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 100A(Tc) Сопротивление открытого канала: 7.8 мОм @ 78А, 10В Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 250нКл @ 10В Входная емкость: 5600пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRF1607PBF Транзистор полевой N-канальный 75В 142А 380Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 142A Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм Мощность макс.: 380Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 320нКл Входная емкость: 7750пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRF2807SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 82А 200Вт, 0.013 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 82A Сопротивление открытого канала: 13 мОм Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 160нКл Входная емкость: 3820пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
206 шт
Цена от:
от 125,92
IRF2807ZSTRLPBF Полевой транзистор N-канальный 75В 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 9.4 мОм Мощность макс.: 170Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 3270пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF2907ZS-7PPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 160A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK-7 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 160A Сопротивление открытого канала: 3.8 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 260нКл Входная емкость: 7580пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRF2907ZSPBF Транзистор полевой N-канальный 75В 75А 300Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 160A Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 270нКл Входная емкость: 7500пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
56 шт
Цена от:
от 468,42
IRF3007STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 62A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 62A(Tc) Сопротивление открытого канала: 12.6 мОм @ 48А, 10В Мощность макс.: 120Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 130нКл @ 10В Входная емкость: 3270пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRF3808SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 106А 200Вт, 0.007 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 106A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 220нКл Входная емкость: 5310пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
2 642 шт
Цена от:
от 95,96
IRF3808STRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В/106А/200Вт/0.007 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 106А Сопротивление открытого канала: 0.007Ом Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
2 642 шт
Цена от:
от 110,60
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"